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STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics |   |
半导体 分离式半导体 | igbt transistors powermesh" igbt |
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STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这些设备是使用高级powermesh开发的非常快速的igbt™ 技术。这个过程保证了开关性能和低通电状态行为之间的良好平衡。 主要特性 低导通电压降（vce（sat）） 低cres/cies比率（无交叉传导敏感性） 超软超快恢复反平行二极管 短路耐受时间10μs |
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