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Image: BM63967S-VC BM63967S-VC Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63967S-VA BM63967S-VA Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63964S-VC BM63964S-VC Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63964S-VA BM63964S-VA Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63963S-VC BM63963S-VC Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63963S-VA BM63963S-VA Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261
Image: BM63767S-VC BM63767S-VC Rohm Semiconductor 电源 AC DC 可配置电源模块 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），热关断（tsd） 与scp（低侧igbt），tsd，uvlo故障对应的故障信号（lvic） 输入接口3.3V，5V线
Image: BM63967S-VC BM63967S-VC Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261
Image: BM63967S-VA BM63967S-VA Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261
Image: BM63964S-VA BM63964S-VA Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261
Image: BM63963S-VC BM63963S-VC Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261
Image: BM63963S-VA BM63963S-VA Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261
Image: BM63767S-VC BM63767S-VC Rohm Semiconductor 电源 电源 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），热关断（tsd） 与scp（低侧igbt），tsd，uvlo故障对应的故障信号（lvic） 输入接口3.3V，5V线
Image: NGP8203N NGP8203N ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 igbt 晶体管 igbt to220 400v 20a
Image: CPV362M4U CPV362M4U International Rectifier ultrafast igbt igbt sip module
Image: FF150R12MT4 FF150R12MT4 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt 模块 igbt-module
Image: FF100R12MT4 FF100R12MT4 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt 模块 igbt-module
Image: SIGC156T60NR2C SIGC156T60NR2C Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt 晶体管 igbt chip IN npt technology
Image: STGF20H60DF STGF20H60DF STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种igbt，采用先进的专用沟道栅极和场阻结构。这一系列的igbt提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了超高频变频器的效率。此外，正的vce（sat）温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更加容易。
Image: SIDC03D60C8 SIDC03D60C8 Infineon Technologies 半导体 二极管/齐纳阵列 发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 igbt 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 igbt 技术进行了优化。

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