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器件类型半导体
- 标准
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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OMAP5910JGZG1 | Texas Instruments | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | applications processor 289-bga microstar | |
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OMAP5912ZDYA | Texas Instruments | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | ||
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OMAP5910GGZG2 | Texas Instruments | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | applications processor 289-bga microstar | |
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RSJ550N10 | Rohm Semiconductor | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | 4V驱动nch mosfet_RSJ550N10 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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VT6J1 | Rohm Semiconductor | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | 1.2V驱动pch + pch mosfet_VT6J1 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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US6K4 | Rohm Semiconductor | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | 1.8V驱动nch + nch mosfet_US6K4 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 |
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