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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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TCOB1E156M8R | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]25.0120hz时的电容[µF]15.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]113.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105 | |
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TCOB1C336M8R | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]16.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]159.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105 | |
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TCOB1A476M8R | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]47.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]47.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105 | |
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TCOB1A336M8R | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]33.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105 | |
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TCOB0J476M8R-EW1 | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]47.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]30.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]70.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1101.0工作温度[°C]-55至105 | |
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TCOB0J227M8R-ES1 | Rohm Semiconductor | 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） | 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]220.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]139.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c15.0100khz时的esr [mΩ]45.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1374.0工作温度[°C]-55至105 |
