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Image: VS30VUA1LAMTF VS30VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 型号| vs30vua1lamtftr 状态| 推荐品 封装| pmdtm 包装数量| 3000 最小独立包装数量| 3000 包装形态| 编带 rohs | 是 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]30.0V BR（最小值）[V]33.3V BR（最大）[V]36.8V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]48.4I PP 10x1000us（最大）[A]12.4储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS28VUA1LAMTF VS28VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]28.0V BR（最小值）[V]31.1V BR（最大）[V]34.4V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]45.4I PP 10x1000us（最大）[A]13.2储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS26VUA1LAMTF VS26VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]26.0V BR（最小值）[V]28.9V BR（最大）[V]31.9V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]42.1I PP 10x1000us（最大）[A]14.3储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS24VUA1LAMTF VS24VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]24.0V BR（最小值）[V]26.7V BR（最大）[V]29.5V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]38.9I PP 10x1000us（最大）[A]15.4储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS22VUA1LAMTF VS22VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]22.0V BR（最小值）[V]24.4V BR（最大）[V]26.9V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]35.5I PP 10x1000us（最大）[A]16.9储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS20VUA1LAMTF VS20VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]20.0V BR（最小值）[V]22.2V BR（最大）[V]24.5V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]32.4I PP 10x1000us（最大）[A]18.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS18VUA1LAMTF VS18VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]18.0V BR（最小值）[V]20.0V BR（最大）[V]22.1V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]29.2I PP 10x1000us（最大）[A]20.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS17VUA1LAMTF VS17VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]17.0V BR（最小值）[V]18.9V BR（最大）[V]20.9V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]27.6I PP 10x1000us（最大）[A]21.7储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS16VUA1LAMTF VS16VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]16.0V BR（最小值）[V]17.8V BR（最大）[V]19.7V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]26.0I PP 10x1000us（最大）[A]23.1储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS15VUA1LAMTF VS15VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]15.0V BR（最小值）[V]16.7V BR（最大）[V]18.5V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]24.4I PP 10x1000us（最大）[A]24.6储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS14VUA1LAMTF VS14VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]14.0V BR（最小值）[V]15.6V BR（最大）[V]17.2V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]23.2I PP 10x1000us（最大）[A]25.9储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS13VUA1LAMTF VS13VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]13.0V BR（最小值）[V]14.4V BR（最大）[V]15.9V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]21.5I PP 10x1000us（最大）[A]28.0储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS12VUA1LAMTF VS12VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]12.0V BR（最小值）[V]13.3V BR（最大）[V]14.7V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]19.9I PP 10x1000us（最大）[A]30.2储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS11VUA1LAMTF VS11VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]11.0V BR（最小值）[V]12.2V BR（最大）[V]13.5V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]18.2I PP 10x1000us（最大）[A]33.0储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: VS10VUA1LAMTF VS10VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）P PP @ 10 / 1000us（最大）[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]10.0V BR（最小值）[V]11.1V BR（最大）[V]12.3V CL @ I PP 10 / 1000us（最大值）[V]17.0I PP 10x1000us（最大）[A]35.3储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: 202A-10KV-NEG-PFC 202A-10KV-NEG-PFC TDK 电源 电源管理 IC 输入 単相 输入电压范围[AC] 180～254vac 输入频率范围 47～63hz 额定输出电压[DC] 10000vdc 输出电压范围[DC] 0～10000v 平均电容器充电功率 2000j/sec 峰值电容器充电功率 2200j/sec 充电电流 440ma 连续直流电流 200ma 连续直流功率 2kw 极性 负输出 功率因数 0.98 效率 85% typ.
Image: 202A-10KV-POS-PFC 202A-10KV-POS-PFC TDK 电源 电源 输入 単相 输入电压范围[AC] 180～254vac 输入频率范围 47～63hz 额定输出电压[DC] 10000vdc 输出电压范围[DC] 0～10000v 平均电容器充电功率 2000j/sec 峰值电容器充电功率 2200j/sec 充电电流 440ma 连续直流电流 200ma 连续直流功率 2kw 极性 正输出 功率因数 0.98 效率 85% typ.
Image: 203L-10kV-NEG-3P208 203L-10kV-NEG-3P208 TDK 电源 电源 输入 3相 输入电压范围[AC] 180～254vac 输入频率范围 47～63hz 额定输出电压[DC] 10000vdc 输出电压范围[DC] 0～10000v 平均电容器充电功率 18000J/sec 峰值电容器充电功率 22000j/sec 充电电流 5A 连续直流电流 3A 连续直流功率 30kw 极性 负输出 功率因数 0.9 效率 85% typ.
Image: 203L-10kV-NEG-3P400 203L-10kV-NEG-3P400 TDK 电源 电源 输入 3相 输入电压范围[AC] 340～460vac 输入频率范围 47～63hz 额定输出电压[DC] 10000vdc 输出电压范围[DC] 0～10000v 平均电容器充电功率 20000j/sec 峰值电容器充电功率 25000j/sec 充电电流 5A 连续直流电流 3A 连续直流功率 30kw 极性 负输出 功率因数 0.9 效率 85% typ.
Image: 203L-10kV-NEG-3P480 203L-10kV-NEG-3P480 TDK 电源 电源 输入 3相 输入电压范围[AC] 432～528vac 输入频率范围 47～63hz 额定输出电压[DC] 10000vdc 输出电压范围[DC] 0～10000v 平均电容器充电功率 20000j/sec 峰值电容器充电功率 25000j/sec 充电电流 5A 连续直流电流 3A 连续直流功率 30kw 极性 负输出 功率因数 0.9 效率 85% typ.

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