|
D452K16E |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
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rectifiers 1.6kv 450a |
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D452N12E VF |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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rectifiers rectifier diode 1200v 450a |
|
D452K12E |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
rectifiers 1.2kv 450a |
|
FF450R17IE4 |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
igbt modules igbt 1700v 450a |
|
FF450R12IE4 |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
igbt modules N-CH 1.2kv 450a |
|
TD285N16KOF |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
discrete semiconductor modules 1600v 450a |
|
TT285N12KOF |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
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discrete semiconductor modules 1200v 450a dual |
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DD285N04K |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
discrete semiconductor modules 400v 450a |
|
TT285N16KOF |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
discrete semiconductor modules 1600v 450a dual |
|
FF450R17ME4 |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
igbt modules igbt 1700v 450a |
|
BAL99-V-GS18 |
Vishay Semiconductors |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 70 volt 450ma 6ns |
|
BAL99-E3-18 |
Vishay Semiconductors |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 70 volt 450ma 6ns 250 mA ifsm |
|
BAL99-E3-08 |
Vishay Semiconductors |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 70 volt 450ma 6ns 250 mA ifsm |
|
FF450R07ME4_B11 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
|
igbt modules igbt module 450a 650v |
|
D452N14E |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
rectifiers 1.4kv 450a |
|
FF450R12ME4 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
|
igbt modules igbt 1200v 450a |
|
2N7002BKMB,315 |
NXP Semiconductors |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet N-chan 60v 450ma |
|
BAL99-HE3-18 |
Vishay Semiconductors |
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半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 70 volt 450ma 6ns 250 mA ifsm |
|
BAL99-HE3-08 |
Vishay Semiconductors |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 70 volt 450ma 6ns 250 mA ifsm |
|
VS-SD1700C45K |
Vishay Semiconductors |
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半导体
分离式半导体
|
rectifiers 4500 volt 2100 amp |