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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: CD43NP-390KB CD43NP-390KB Sumida cd43
Image: CD43NP-3R3MB CD43NP-3R3MB Sumida cd43
Image: CD43NP-3R9MB CD43NP-3R9MB Sumida cd43
Image: CD43NP-470KB CD43NP-470KB Sumida cd43
Image: CD4585B-MIL CD4585B-MIL Texas Instruments cd4585b types datasheet (rev. B)
Image: CD4051BEE3 CD4051BEE3 Texas Instruments cd405xb cmos single 8-channel analog multiplexer/Demultiplexer with logic-level conversion datasheet (rev. I)
Image: CD4066BNS CD4066BNS Texas Instruments cd4066b cmos quad bilateral switch datasheet (rev. G)
Image: MC14001B MC14001B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门在单个整体结构（互补mos）中由P和N通道增强模式器件构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14001UB MC14001UB ON Semiconductor 半导体 逻辑 UB 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。UB 系列 Cmos 门极将反相非缓冲函数。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 线性和振荡器应用 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 对应的cd4000系列UB后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14011B MC14011B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14011UB MC14011UB ON Semiconductor 半导体 逻辑 UB 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。UB 系列 Cmos 门极将反相非缓冲函数。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 线性和振荡器应用 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 对应的cd4000系列UB后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14012B MC14012B ON Semiconductor 半导体 逻辑 此类双路 4 输入 nand 门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 所有输入均具有双二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14023B MC14023B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14025B MC14025B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14071B MC14071B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14073B MC14073B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14081B MC14081B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14082B MC14082B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14093B MC14093B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14093b 施密特触发器在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14093b 可以替代 mc14011b 四路 2 输入 nand 门极，实现更高抗扰度，或对慢慢变化的波形进行“方形整形”。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有三重二极管保护 与cd4093引脚兼容 可用于替换mc14011b 每个输入都有独立的施密特触发器 提供无铅封装*
Image: MC14106B MC14106B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14106b十六进制施密特触发器由mos P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14106b可以代替mc14069ub十六进制逆变器使用，以增强抗噪能力或“叠加”缓慢变化的波形。 特性 mc14584b上增加的磁滞电压 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 cd40106b和mm74c14的引脚换引脚 可用于替换mc14584b或mc14069ub 提供无铅封装*

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