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Image: EVAL-FFXMR12KM1DR EVAL-FFXMR12KM1DR Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 特征描述 采用coolsic™trench mosfet技术的62mm模块半桥驱动器 电气和机械均适合采用coolsic™trench mosfet技术的600 V 62 mm模块 负电压调节范围为-5 V至0 V 正电压调节，可实现高开关频率 适当的pcb设计以限制操作期间的pcb发热 优势 适应的栅源电压（vgs = -5…0 V / + 15…+18 V） 电路板的热设计针对高开关频率进行了优化 即插即用，可立即使用的主板解决方案进行设备测试
Image: IMW120R090M1H IMW120R090M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用 to247-3封装的coolsic™ 1200 V
Image: IMZ120R350M1H IMZ120R350M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMW120R030M1H IMW120R030M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-3封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMZ120R220M1H IMZ120R220M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMZ120R090M1H IMZ120R090M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMW120R140M1H IMW120R140M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-3封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMZ120R030M1H IMZ120R030M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMZ120R140M1H IMZ120R140M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: IMW120R060M1H IMW120R060M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-3封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfe
Image: IMZ12R350M1H IMZ12R350M1H Infineon Technologies 电源 功率调节 采用to247-4封装的Coolsic™1200v sic沟槽式mosfet
Image: H08G65C​​6 H08G65C​​6 Infineon Technologies 半导体 二极管/齐纳阵列 无与伦比的效率和价格表现 所述Coolsic™肖特基二极管650v G6是英飞凌前缘技术为sic肖特基势垒二极管，充分利用碳化硅的所有优点在硅。英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计，薄晶圆技术和新颖的肖特基金属系统相结合。结果是获得了同类最佳的品质因数（Q c x V F），从而在所有负载条件下均具有更高的效率。

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