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Image:    LM139AQML-SP LM139AQML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 100krad (si) eldr free 100krad (si) wide supply voltage rangelm139/139a series 2 to 36vdc or ± 1 to ± 18vdcvery low supply current dri漏(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5 naalow 偏置电压: ± 1 mvinput 公共模式电压范围包括 dgnmv 输入电压范围等于电源电压饱和差动输出电压: 250 at 4 maxat 4 mathtttldtl,cmoseclmos 和逻辑系统兼容
Image:     LM119QML-SP LM119QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 可保证辐射 高剂量率100 krad(Si) eldrs免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率可保证辐射 高剂量率100 krad(Si) eldrs免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率
Image:    LM124AQML-SP LM124AQML-SP Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 提供辐射规格 高剂量率100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 单位增益内部频率补偿 大直流电压增益100db 宽带(单位增益)1 mhz (温度补偿) 宽电源范围:  单电源3V至32v
Image:     OPA4277-SP OPA4277-SP Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 符合 qmlv 标准:5962-16209 抗辐射加固保障 (rha) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (tid) 无低剂量率辐射损伤增强 (eldrs)(请参阅辐射报告) 单粒子锁定 (sel) 对于线性能量传输 (let) 的抗扰度 = 85mev-cm2/mg 超低偏移电压:20µV 超低漂移:±0.15µV/°C 高开环增益:134db 高共模抑制比:140db 高电源抑制比:130db 宽电源电压范围:±2V 至 ±18v 低静态电流:800µA/放大器 采用 14 引线 cfp,具有行业标准四路运算放大器引脚
Image:      LM111QML LM111QML Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 可保证辐射 高剂量率50克拉(Si) 低剂量和无eldrs 100 krad(Si) 由单个5V电源供电 输入电流:200毫安最大超温 偏置电流:20毫安最大超温 差分输入电压范围:±30伏 功耗:135 mW±15伏 电源电压,单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力
Image:     LM119QML LM119QML Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 可保证辐射 高剂量率100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15v下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率
Image:     LM193QML LM193QML Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 提供辐射保证 总电离剂量100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 广泛供应 电压范围:2.0vdc36vdc 单电源或双电源:±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗(0.4 mA)— 独立于电源电压 低输入偏置电流:25毫安典型值 低输入偏置电流:±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压,典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttldtleclmos和Cmos逻辑系统兼容
Image:    LM139AQML LM139AQML Texas Instruments 半导体 RF 晶体管 (BJT) 可保证辐射 总电离剂量100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 宽电源电压范围 lm139/139a系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗(0.8 mA)-与电源电压无关 低输入偏置电流:25毫安 低输入偏置电流:±5不适用 偏移电压:±1毫伏 输入共模电压范围包括gnd 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压:4 mA时为250 mV 输出电压与ttldtleclmos和Cmos逻辑系统兼容
Image:     LM111QML-SP LM111QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 可保证辐射 高剂量率50克拉(Si) 低剂量和无eldrs 100 krad(Si) 由单个5V电源供电 输入电流:200毫安最大超温 偏置电流:20毫安最大超温 差分输入电压范围:±30伏 功耗:135 mW±15伏 电源电压,单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力
Image:     LM158QML-SP LM158QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 提供辐射规格 高剂量率100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 单位增益内部频率补偿 直流电压增益大: 100分贝 宽带(单位增益): 1 MH z(温度补偿) 宽电源范围: 单电源: 3V至32v 或双电源: ±1.5V至±16伏 极低的电源电流消耗(500μ(一)− 基本上独立于电源电压 低输入偏移电压: 2毫伏 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 输出电压摆幅大: 0V至V+− 1.5伏
Image:     LM193QML-SP LM193QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 提供辐射保证 总电离剂量100克拉(Si) eldrs免费100克拉(Si) 广泛供应 电压范围:2.0vdc36vdc 单电源或双电源:±1.0伏至±18伏 极低的电源电流消耗(0.4 mA)-与电源电压无关 低输入偏置电流:25毫安典型值 低输入偏置电流:±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压,典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttldtleclmos和Cmos逻辑系统兼容
Image:   LMP2012QML-SP LMP2012QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 吸收剂量50 krad (si) eldrs free 50 krad (si) tcvio 温度灵敏度(典型)0.015 v/° c (v s = 5v,除非另有说明)低温确保 vio 超过温度60 v 低噪声没有1/f 35nv/√ high cmrr 90 dbhigh psrr 90 dbwide 增益产品3mhzzmr 高转换率4v/srail-to-rail 输出30mvno 外部需要