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Image: AMMP-6125-BLKG AMMP-6125-BLKG Avago Technologies 半导体 射频半导体 RF amplifier 6-13 ghzfreq mult
Image: AMMP-6125-TR2G AMMP-6125-TR2G Avago Technologies 半导体 射频半导体 RF amplifier 6-13 ghzfreq mult
Image: TGA4906 TGA4906 TriQuint Semiconductor 半导体 射频半导体 RF amplifier 28 - 31 ghz4w hpa
Image: MGA-13316-BLKG MGA-13316-BLKG Avago Technologies 半导体 射频半导体 RF amplifier 2.2-4 ghz2s lna
Image: AMMP-6125-TR1G AMMP-6125-TR1G Avago Technologies 半导体 射频半导体 RF amplifier 6-13 ghzfreq mult
Image: MGA-13316-TR1G MGA-13316-TR1G Avago Technologies 半导体 射频半导体 RF amplifier 2.2-4 ghz2s lna
Image: NB7LQ572MNG NB7LQ572MNG ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC clock buffer 7 ghz160 ps3.6V 3V
Image: NB7LQ572MNR4G NB7LQ572MNR4G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC clock buffer 7 ghz160 ps3.6V 3V
Image: LMH6702-MIL LMH6702-MIL Texas Instruments 半导体 晶体管 Vs = ± 5 v，ta = 25 ° c，av = 2v/v，rl = 100，vout = 2 vpp，除非注明: 2次和3次谐波(5mhz，sot-23)-100/-96dbc-3 db 带宽(vout = 0.5 vpp)1.7 ghzlow 噪声1.83 nv/hz√快速调节到0.1% 13.4快 nsrate 3100 v/ssupply current 12.5 maow 输出电流80 malow 输出失真(75 mhz)-67dbcproved 替换 cl409和 c449
Image: TEF5100 TEF5100 NXP Semiconductors 半导体 无线连接 802.11 p，802.11 a / b / g / n和arib std-t55 / std-t75的收发器 独立合成器的双通道操作 频段支持760 mhz，2.4 ghz，5.4 ghz，5.8 ghz和5.9 ghz 1.6 V模拟电源 1.8 V – 3.3 VI / O电源 1.2 V数字电源 支持的频段： 单760 mhz 单个2.4 ghz管道 双5.x ghz管道（5.18 ghz至5.93 ghz） 5 mhz至20 mhz调制带宽 0 dbm线性ofdm发射功率 33 dB TX增益控制 使用5.9 ghz的4.5 dB RX噪声系数 78 dB RX增益控制 RX增益稳定时间<100 ns 760 mhz的evm优于-40 dB 802.11 p频段的evm优于-32 dB 频率步长较小的小数N分频合成器 标称参考频率为40 mhz 汽车AECQ100 2级
Image: AD9166 AD9166 Analog Devices Inc 半导体 接口 直流耦合、50Ω 匹配输出 高达 4.3 dbm 的输出功率，9 ghz 时为 -9.5 dbm dac 内核更新率：2×nrz 模式下为 12.0 gsps（保证的最小值） 宽模拟带宽 2×nrz 模式下，直流至 9.0 ghz（12.0 gsps dac 更新速率） 在混合模式下，1.0 ghz 至 8.0 ghz（6.0 gsps dac 更新速率） 在 nrz 模式下，直流至 4.5 ghz（6.0 gsps dac 更新速率） 2×nrz 模式下的功耗为 4.88 W（10 gsps dac 更新速率） 旁路数据路径插值 2×, 3×, 4×, 6×, 8×, 12×, 16×, 24× 瞬时（复杂）信号带宽 设备时钟为 5 ghz 时为 2.25 ghz（ 2 倍插值） 设备时钟为 6 ghz 时为 1.8 ghz（ 3 倍插值） 快速跳频 集成 bicmos 缓冲区放大器
Image: ADL8150 ADL8150 Analog Devices Inc 机电产品 开关 输出 p1db ：19 dbm（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） psat：23 dbm（7 ghz 至 14 ghz 频率下的典型值） 增益：13 dB（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） 输出 ip3 ：31.5 dbm（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） 相位噪声：10 khz 偏移时−172 dbc/Hz vcc：​5 V 当 icq = 76 mA 时 裸片尺寸：1.490 mm × 0.930 mm × 0.102 mm
Image: ADL8150 ADL8150 Analog Devices Inc 机电产品 开关 优势和特点 产品详情 输出 p1db ：19 dbm（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） psat：23 dbm（7 ghz 至 14 ghz 频率下的典型值） 增益：13 dB（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） 输出 ip3 ：31.5 dbm（7 ghz 至 11 ghz 频率下的典型值） 相位噪声：10 khz 偏移时−172 dbc/Hz vcc：​5 V 当 icq = 76 mA 时 裸片尺寸：1.490 mm × 0.930 mm × 0.102 mm
Image: CBTU02043HE CBTU02043HE NXP Semiconductors 半导体 逻辑 针对C型连接器pcb布线进行了优化，以实现信号完整性 最小化串扰以满足严格的C型要求 通过友好的C型pcb布局最小化通孔 一个端口（两个双向差分通道）1-2切换 低插入损耗：5 ghz时为-1.4 dB；在2.5 ghz时为-0.9 dB; 100 mhz时为-0.5 dB 低断态隔离：5 ghz时为-20 dB；在100 mhz时为-40 dB 低回波损耗：2.5 ghz时为-16 dB；-12 dB @ 5 ghz 低导通电阻：10Ω（典型值） 带宽：12 ghz（典型值） ddnext串扰非常低：在5 ghz下<-37 dB vic共模输入电压vic：0 V至2 V 差分输入电压vid：<1.6 V 对内偏斜：<6 ps vdd电源电压范围：1.62 V至3.63 V 低电流消耗： 有源模式下为200 µA（典型值） 3 µA（典型值）以节省功率 cmos sel和xsd引脚 这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护 正在申请专利的高性能模拟通过门技术 所有通道均支持轨到轨输入电压（最高2.4 V） huqfn16 1.6 mm x 2.4 mm x 0.5 mm封装，间距0.4 mm
Image: BFP843板 BFP843板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 •基于英飞凌可靠的大容量sige：C双极技术的低噪声宽带npn RF晶体管 •高最大RF输入功率和esd鲁棒性20 dbm最大RF输入功率，1.5 KV hbm esd硬度 •高射频性能的独特组合，鲁棒性和易于应用的电路设计 •低噪声系数：nfmin = 2.4 ghz时为1.0 dB，5.5 ghz，1.8 V，8 mA时为1.2 dB •高增益：| s21 | 2 = 2.4 ghz时为21 dB，5.5时为15.5 dB ghz，1.8 V，15 mA •oip3 = 2.4 ghz时为23 dbm，5.5 ghz，1.8 V，20 mA时 为20 dbm •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（符合rohs要求）和无卤素工业标准封装，并带有可见引线 •根据aec-q101提供的鉴定报告
Image: TRF2436 TRF2436 Texas Instruments 无源元器件 high-power dual-Band (2.4-ghz to 2.5-ghz and 4.9-ghz to 5.9-ghz) RF front-end
Image: TRF2436IRTBTG4 TRF2436IRTBTG4 Texas Instruments high-power dual-Band (2.4-ghz to 2.5-ghz and 4.9-ghz to 5.9-ghz) RF front-end
Image: ADAR2004 ADAR2004 Analog Devices Inc 机电产品 开关 四通道 lna， 混频器，IF vga 4x LO 乘法器（带可编程谐波滤波器） RF 输入频率范围：10 ghz 至 40 ghz IF 输出频率范围：0 mhz 至 800 mhz LO 输入频率范围：2.4 ghz 至 10.1 ghz 增益范围：21 dB 至 41 dB 输入 p1db：−20 dbm 典型值（最小增益时） 噪声指数：9 dB 典型值（最大增益时） 3 线或 4 线 spi 控制 通过片内可编程状态机实现快速乘法器/滤波器和接收器的切换和控制 片内温度传感器和 adc 直流功率：910 mW（2.5 V 电源） 48 端子 7 mm × 7 mm lga 封装
Image: ADAR2001 ADAR2001 Analog Devices Inc 机电产品 开关 4x 输入倍频器（带可编程谐波滤波器） 具有独立使能控制的四路差分输出 PA 输入频率范围：2.5 ghz 至 10 ghz 输出频率范围：10 ghz 至 40 ghz 输入功率：−20 dbm (50 Ω) 输出功率：5 dbm 差分 (100 Ω) 谐波抑制：在整个频率范围内为 -20 dB 至 -40 dB 对所有功能进行 3 线或 4 线 spi 控制 通过片内可编程状态机实现快速乘法器/滤波器和变送器的切换和控制 片内温度传感器、输出功率检测器和 adc 直流功率：450 mW（2.5 V 电源） 40 端子 6 mm × 6 mm lga 封装
Image: ADL8104 ADL8104 Analog Devices Inc 半导体 接口 adl8104是砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）、低噪声、宽带、高线性放大器，工作范围从0.4 ghz到7.5 ghz。 adl8104在0.6ghz到6ghz时提供了15db的典型增益，在0.4ghz到6ghz时提供了3.5db的典型噪声系数，在0.6ghz到6ghz的1db压缩（OP1db）下提供了20dbm的典型输出功率，在0.6ghz到6ghz时提供了32dbm的典型输出三阶截距（oip3），5V漏极电源电压仅需150ma。低噪声放大器具有52 dbm的高输出二阶截距（oip2），通常在0.6 ghz至6 ghz之间，使adl8104适用于军事和测试仪器应用。 adl8104还具有内部匹配到50Ω的输入和输出。rfin和rfout引脚是内部交流耦合的，偏置电感也是集成的，这使得adl8104非常适合基于表面贴装技术（smt）的高密度应用。 adl8104采用符合rohs标准的3 mm×3 mm 16引线lfcsp封装。

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