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Image: LMH9226 LMH9226 Texas Instruments lmh9226 single-ended to differential 2.3-ghz to 2.9-ghz RF amplifier with balun datasheet
Image: LMH9226IRRLR LMH9226IRRLR Texas Instruments lmh9226 single-ended to differential 2.3-ghz to 2.9-ghz RF amplifier with balun datasheet
Image: BGT24LTR22 BGT24LTR22 Infineon Technologies 传感器，变送器 电流传感器 xensiv™24ghz多通道雷达传感器bgt24ltr22，用于距离和角度测量 bgt24ltr22是一款用于24ghz雷达应用的低功耗，低噪声多通道硅锗收发器mmic。它提供了用于生成和接收模拟信号的构建块，其工作频率范围为24.0 ghz至24.25 ghz。该设备支持多种调制方案，包括fmcw和多普勒。实现了控制芯片的集成数字模块，以支持雷达系统设计。 该器件采用英飞凌的b11hfc bicmos技术制造，截止频率高于300ghz。它封装在infineons塑料嵌入式晶圆级球栅阵列（ewlb）封装中，可以按标准smt流程进行处理。 英飞凌为bgt24ltr22提供了一个评估套件，该评估套件可实现对器件的快速测试和快速原型设计。
Image: LMH9235 LMH9235 Texas Instruments lmh9235 3.3 ghz – 4.2 ghz single-ended to differential amplifier with integrated balun datasheet (rev. B)
Image: LMH9235IRRLR LMH9235IRRLR Texas Instruments lmh9235 3.3 ghz – 4.2 ghz single-ended to differential amplifier with integrated balun datasheet (rev. B)
Image: ADRF5043 ADRF5043 Analog Devices Inc 机电产品 开关 adrf5043是一款利用绝缘硅 (soi) 工艺制造的非反射式单刀四掷 (sp4t) 开关。 adrf5043的工作频率范围为9 khz至44 ghz，具有低于2.5 dB的插入损耗以及高于36 dB的隔离性能。该器件对于直通路径和端接路径都能提供24 dbm的射频(RF)输入功率处理能力。 adrf5043需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。此器件采用互补金属氧化物半导体 (cmos) 和低电压晶体管-晶体管逻辑 (lvttl) 兼容控件。 adrf5043具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和端口镜像功能。 adrf5043与adrf5042（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100 mhz至44 ghz。 adrf5043采用符合rohs标准的24引脚、3 mm × 3 mm、基板栅格阵列(lga)封装，工作温度范围可为−40°C至+105°C。
Image: ADL9006 ADL9006 Analog Devices Inc 半导体 接口 优势和特点 产品详情 adl9006 是一款砷化镓 (gaas)、假晶高电子迁移率晶体管 (phemt)、单片微波集成电路 (mmic) 低噪声宽带放大器，工作范围为 2 ghz 至 28 ghz。该放大器可提供 15.5 dB 的增益，2.5 dB 的噪声系数，26 dbm 的输出三阶截距 (oip3) 以及20 dbm 的输出功率，以进行 1 dB 压缩 (p1db)，同时需要 5 V 电源提供 53 mA 的电流。adl9006 具有自偏置功能，仅需一个正电源即可实现 53 mA 的电源电流 (idd)。 adl9006 放大器输入和输出内部匹配至 50 Ω。 应用 测试仪器仪表 军用和航空航天 本地振荡器驱动器放大器
Image: RSL10 RSL10 ON Semiconductor 光电子 光纤 - 收发器 rsl10 是一款 bluetooth 5、多协议无线电片上系统 (soc)，为无线应用带来了超低功耗蓝牙低能耗。rsl10 提供了行业最低的功耗，实现高级无线功能的同时优化了系统大小和电池寿命。rsl10 适用于使用低至 1.2 V 电池的应用，支持 1.1 至 3.3 V 的电源电压范围，且无需外部部件。该高度集成的无线电 soc 具有双核结构和 2.4 ghz 收发器，提供支持蓝牙低能耗和 2.4 ghz 自定义协议的灵活性。rsl10 软件开发包 (sdk) 利用方便的抽象、驱动器和从 blinky 到完整 ble 外围器件以及两者之间的任何采样应用，实现了超低功耗蓝牙低能耗应用的开发。
Image: MC12080 MC12080 ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 mc12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模，用于 1.1ghz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 sw1、sw2 和 sw3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF，如果以最低分频比 10 对 1.1 ghz 输入信号进行分频，则推荐 820 ohm 电阻来实现 1.2 vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 ghz 输入频率下的不同分频比包含在 vout 规格内。
Image: NESG2101M05-EVPW24 NESG2101M05-EVPW24 CEL 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar for nesg2101m05-A power at 2.4 ghz
Image: NESG2021M05-EVNF58 NESG2021M05-EVNF58 CEL 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar for nesg2021m05-A noise fig at 5.8 ghz
Image: NESG2031M05-EVNF58 NESG2031M05-EVNF58 CEL 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar for nesf2031m05-A noise fig at 5.8 ghz
Image: NESG3031M05-EVNF16 NESG3031M05-EVNF16 CEL 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar for nesg3031m05-A noise fig at 1.6 ghz
Image: NESG3031M05-EVNF24 NESG3031M05-EVNF24 CEL 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar for nesg3031m05-A noise fig at 2.4 ghz
Image: HSP061-4M10 HSP061-4M10 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 tvs diode arrays 4line esd protection 8.7 ghz 0.3pf 70na
Image: HSP061-8M16 HSP061-8M16 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 tvs diode arrays 8-CH esd array rtor 6.3 ghz 0.6 pF
Image: LET20045C LET20045C STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet RF pwr trans ldmost 2.0 ghz N-Ch enh
Image: MAGX-000040-00500P MAGX-000040-00500P MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet DC-4 ghz gain 13.5db gan sic
Image: T1G4004532-FL T1G4004532-FL TriQuint Semiconductor 半导体 分离式半导体 jfet DC-35.ghz gan 45w 32v gain >19db
Image: T1G4004532-FS T1G4004532-FS TriQuint Semiconductor 半导体 分离式半导体 jfet DC-35.ghz gan 45w 32v gain >19db

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