关键词mosfe
- 标准
-
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
US6J11 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动pch + pch mosfet_US6J11 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
US5U35 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动pch + sbd mosfet_US5U35 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | |
![]() |
US5U30 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动器pch + sbd mosfet_US5U30 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | |
![]() |
US5U2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + sbd mosfet_US5U2 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | |
![]() |
US5U2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + sbd mosfet_US5U2 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | |
![]() |
US5U1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + sbd mosfet_US5U1 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | |
![]() |
UM6K34N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 0.9V驱动nch + nch mosfet_UM6K34N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
UM6K33N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 1.2V驱动nch + nch mosfet_UM6K33N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
UM6K31N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_UM6K31N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
UM6J1N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动pch + pch mosfet_UM6J1N 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
SH8MA4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + pch功率mosfet_SH8MA4 sh8ma4tb1是低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。适用于切换。 | |
![]() |
SH8MA3 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + pch功率mosfet_SH8MA3 sh8ma3tb1是低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。适用于切换。 | |
![]() |
SH8MA2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + pch功率mosfet_sh8ma2 sh8ma2是具有低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | |
![]() |
SH8M51 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 100v nch + pch功率mosfet_sh8m51 sh8m51是最适合开关用途的低导通电阻功率mosfet。 | |
![]() |
SH8M41 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 80v nch + nch功率mosfet_sh8m41 sh8m41是最适合开关用途的低导通电阻mosfet。 | |
![]() |
SH8M31 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 60v nch + pch功率mosfet_sh8m31 sh8m31是具有低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | |
![]() |
SH8M24 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 4V驱动nch + pch mosfet_SH8M24 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
![]() |
SH8KA7 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + nch功率mosfet_sh8ka7 sh8ka7是小型表面贴装封装的低导通电阻mosfet,最适合电机驱动用途。 | |
![]() |
SH8KA4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + nch功率mosfet_sh8ka4 sh8ka4是适用于开关和电机驱动用途的中功率mosfet。 | |
![]() |
SH8KA2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 30v nch + nch中功率mosfet_sh8ka2 sh8ka2是适用于开关和电机驱动用途的小型表面安装封装的mosfet。 |