关键词phemt
标准
为您共找出"400"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: MGA-412P8-TR2G MGA-412P8-TR2G AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED gaas enhancement-mode phemt power amplifier optimized for ieee 802.11b/g applications
Image: TQPHT TQPHT TriQuint Semiconductor 0.5 um phemt foundry service
Image: LX5560 LX5560 Microsemi Corporation ingaas - E-mode phemt low noise amplifier
Image: LX5560L LX5560L Microsemi Corporation ingaas - E-mode phemt low noise amplifier
Image: LX5561 LX5561 Microsemi Corporation ingaas - E-mode phemt low noise amplifier
Image: LX5561LL LX5561LL Microsemi Corporation ingaas - E-mode phemt low noise amplifier
Image: LX5540 LX5540 Microsemi Corporation Co-package 2.3 - 2.5 ghz hbt power amplifier & phemt low noise amplifier
Image: 372LP3E 372LP3E Hittite Microwave Corporation gaas phemt mmic low noise amplifier, 700 - 1000 mhz
Image: 368LP4E 368LP4E Hittite Microwave Corporation smt gaas phemt mmic amp-doubler-amp, 9.0 - 16.0 ghz output
Image: MRFG35003MT1 MRFG35003MT1 Motorola, Inc the RF gaas line gallium arsenide phemt RF power field effect transistor
Image: RFSW6132 RFSW6132 RF Micro Devices 机电产品 开关 the rfsw6132 is a gaas phemt single-pole three-throw (sp3t)
Image: RFUV1002 RFUV1002 RF Micro Devices 无源元器件 RF 混频器 rfmd's rfuv1002 is a 9ghz to 14ghz gaas phemt up-converter
Image: HMC8411 HMC8411 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 hmc8411lp2fe 是一款砷化镓 (gaas)、单片微波集成电路 (mmic)、假晶高电子迁移率晶体管 (phemt) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 ghz 至 10 ghz。
Image: ADH451S ADH451S Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 adh451s 是一款通用 gaas phemt mmic 中功率放大器
Image: ADPA7006 ADPA7006 Analog Devices Inc 无源元器件 RF 放大器 18 ghz 至 44 ghz gaas phemt mmic 1/2 W 功率放大器
Image: ADPA7002 ADPA7002 Analog Devices Inc 无源元器件 RF 放大器 gaas phemt mmic 1/2 W 20 ghz 至 44 ghz 功率放大器
Image: ADH8410S ADH8410S Analog Devices Inc 无源元器件 RF 放大器 adh8410s是一种砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）
Image: HMC1082 HMC1082 Analog Devices Inc 无源元器件 RF 放大器 hmc1082是一款集成温度补偿片内功率检波器的gaas phemt mmic驱动器放大器
Image: ADL8104 ADL8104 Analog Devices Inc 半导体 接口 adl8104是砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）、低噪声、宽带、高线性放大器，工作范围从0.4 ghz到7.5 ghz。 adl8104在0.6ghz到6ghz时提供了15db的典型增益，在0.4ghz到6ghz时提供了3.5db的典型噪声系数，在0.6ghz到6ghz的1db压缩（OP1db）下提供了20dbm的典型输出功率，在0.6ghz到6ghz时提供了32dbm的典型输出三阶截距（oip3），5V漏极电源电压仅需150ma。低噪声放大器具有52 dbm的高输出二阶截距（oip2），通常在0.6 ghz至6 ghz之间，使adl8104适用于军事和测试仪器应用。 adl8104还具有内部匹配到50Ω的输入和输出。rfin和rfout引脚是内部交流耦合的，偏置电感也是集成的，这使得adl8104非常适合基于表面贴装技术（smt）的高密度应用。 adl8104采用符合rohs标准的3 mm×3 mm 16引线lfcsp封装。
Image: ADL9006 ADL9006 Analog Devices Inc 半导体 接口 优势和特点 产品详情 adl9006 是一款砷化镓 (gaas)、假晶高电子迁移率晶体管 (phemt)、单片微波集成电路 (mmic) 低噪声宽带放大器，工作范围为 2 ghz 至 28 ghz。该放大器可提供 15.5 dB 的增益，2.5 dB 的噪声系数，26 dbm 的输出三阶截距 (oip3) 以及20 dbm 的输出功率，以进行 1 dB 压缩 (p1db)，同时需要 5 V 电源提供 53 mA 的电流。adl9006 具有自偏置功能，仅需一个正电源即可实现 53 mA 的电源电流 (idd)。 adl9006 放大器输入和输出内部匹配至 50 Ω。 应用 测试仪器仪表 军用和航空航天 本地振荡器驱动器放大器

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号