关键词tfbga
- 标准
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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SAB-TFBGA208 | Future Designs Inc | 嵌入式解决方案 配件 | board sckt adapter for tfbga208 | |
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CBTV24DD12ET | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 12位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单的cmos选择引脚（sel0，sel1） 简单的cmos使能引脚（EN） 性能 3200 MT / s吞吐率 7.4 ghz带宽（用于单端和差分信号） 低导通损耗 低回波损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为8Ω） 低ΔR ON（<1Ω） 一般属性 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为600 µA） 这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护 esd耐用性超过2.5 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，3.0 mm×8.0 mm×1.0 mm尺寸，0.65 mm间距，无铅/深绿色 | |
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CBTW28DD14 | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 14位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单cmos选择引脚（sel） 简单cmos使能引脚（EN） 性能 2.5 ghz带宽 低导通损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_135，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为10） 一般属性 1.5 V或1.8 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为300μA） esd耐用性超过3 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，4.5 mm×4.5 mm×0.8 mm尺寸，0.5 mm间距，无铅/深绿色 | |
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STA8090EXGA | STMicroelectronics | 光电子 光纤 - 接收器 | aec-q100合格 stmicroelectronics定位接收机，具有48个跟踪通道和2个支持gps、galileo、glonass、北斗和qzs系统的快速采集通道 ST-draw（ST死计算汽车道路）支撑（仅限sta8090exgad） 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dbm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速ttff<1 s，冷启动时快速ttff<30 s 高性能arm946 mcu（高达196 mhz） 256 KB嵌入式sram fsmc外部内存接口（nor和sram） 外部sqi闪存接口 8个自由运行计时器/计数器（32位） 实时时钟（rtc）电路 32位看门狗定时器 3 uart 1 i2c主接口 1个同步串行端口（ssp，支持摩托罗拉spi） usb2.0全速（12 mhz），配有集成物理层收发器 2控制器局域网（can） 8通道adc（10位） 1个安全数字多媒体存储卡接口（sdmmc） 1个多通道串行端口（msp） 电源管理单元（pmu）嵌入开关调节器 工作条件： 主电压调节器（vinl）：1.6 V至4.3 V 备用电压（vinb）：1.6 V至4.3 V 数字电压（vdd）：1.1 V至1.32 V 射频核心电压（vcc）：1.2 V± 10% IO环电压（vddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： tfbga169 9 x 9 x 1.2 mm 0.65节距 工作温度范围：-40/+85°C级 | |
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STA8090FG | STMicroelectronics | 光电子 光纤 - 接收器 | stmicroelectronics定位接收机，具有48个跟踪通道和2个支持gps、galileo、glonass、北斗和qzs系统的快速采集通道 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dbm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速ttff<1 s，冷启动时快速ttff<30 s 高性能arm946 mcu（高达196 mhz） 256 KB嵌入式sram 包内sqi闪存（16或32 mbit） 实时时钟（rtc）电路 32位看门狗定时器 3 uart 1 i2c主接口 1个同步串行端口（ssp，支持摩托罗拉spi） usb2.0全速（12 mhz），配有集成物理层收发器 2控制器局域网（can） 2通道adc（10位） 1个安全数字多媒体存储卡接口（sdmmc） 1个多通道串行端口（msp） 电源管理单元（pmu）嵌入开关调节器 工作条件： 主电压调节器（vinl）：1.6V至4.3V 备用电压（vinb）：1.6V至4.3V 数字电压（vdd）：1.0 V至1.32 V 射频核心电压（vcc）：1.2 V± 10% IO环电压（vddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： tfbga99（5 x 6 x 1.2 mm）0.5 mm间距 工作温度范围：-40/+85°C级 |
