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型号
厂商
标准
分类
描述
SMA6T30AY
STMicroelectronics
附件
电路保护 - 分类套件
sma
6TY
transil
系列旨在保护敏感的汽车电路免受
iso
7637
-2中定义的电涌和根据
iso
10605
产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容,高端电路需要低泄漏电流和高结温,以提供长期的可靠性和稳定性。
sma
6TY采用
sma
封装(符合
ipc
7531
标准的
sma
尺寸)。
transil
™是意法半导体的商标。 主要特性 符合
aec
-
q101
峰值脉冲功率:
600
瓦(10/
1000
μs) 4千瓦(8/20 s) 稳定电压范围:5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流: 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj:
150
°C
jedec
注册的程序包概述 树脂符合UL 94,V0
SMA6T47AY
STMicroelectronics
附件
电路保护 - 分类套件
描述
sma
6TY
transil
系列旨在保护敏感的汽车电路免受
iso
7637
-2中定义的电涌和根据
iso
10605
的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。
sma
6TY以
sma
封装(符合
ipc
7531
标准的
sma
封装)。
transil
™是意法半导体的商标。 所有功能 符合
aec
-
q101
峰值脉冲功率:
600
瓦(10/
1000
μs) 4千瓦(8/20 s) 稳定电压范围:5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流: 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj:
150
°C
jedec
注册的程序包概述 树脂符合UL 94,V0
SMA6T47CAY
STMicroelectronics
附件
电路保护 - 分类套件
描述
sma
6TY
transil
系列旨在保护敏感的汽车电路免受
iso
7637
-2中定义的电涌和根据
iso
10605
的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。
sma
6TY以
sma
封装(符合
ipc
7531
标准的
sma
封装)。
transil
™是意法半导体的商标。 所有功能 符合
aec
-
q101
峰值脉冲功率:
600
瓦(10/
1000
μs) 4千瓦(8/20 s) 稳定电压范围:5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流: 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj:
150
°C
jedec
注册的程序包概述 树脂符合UL 94,V0
SMA6T56AY
STMicroelectronics
附件
电路保护 - 分类套件
描述
sma
6TY
transil
系列旨在保护敏感的汽车电路免受
iso
7637
-2中定义的电涌和根据
iso
10605
的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。
sma
6TY以
sma
封装(符合
ipc
7531
标准的
sma
封装)。
transil
™是意法半导体的商标。 所有功能 符合
aec
-
q101
峰值脉冲功率:
600
瓦(10/
1000
μs) 4千瓦(8/20 s) 稳定电压范围:5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流: 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj:
150
°C
jedec
注册的程序包概述 树脂符合UL 94,V0
KSC5402DTF
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
silicon
transistor
planar
silicon
transistor
MMBFJ211
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s RF
jfet
nch
RF
transistor
J211_D74Z
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s RF
jfet
nch
RF
transistor
LM3046M
Texas Instruments
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
transistor
array
LM3046MX
Texas Instruments
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
transistor
array
KSD794AYSTU
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
Si
transistor
epitaxial
KSP44TF
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
Si
transistor
epitaxial
NZT902
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
transistor
low
saturation
ULN2803ADWR
Texas Instruments
半导体
分离式半导体
transistor
s
darlington
transistor
arrays
PD55015-E
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
transistor
s RF
mosfet
power
RF
transistor
PD55025S-E
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
transistor
s RF
mosfet
power
RF
transistor
PD57018-E
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
transistor
s RF
mosfet
power
RF
transistor
ULN2803AN
Texas Instruments
半导体
分离式半导体
transistor
s
darlington
transistor
arrays
2N4401BU
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
transistor
general
purpose
KSA1015YTA
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
pnp
epitaxial
transistor
PN2222ABU
Fairchild Semiconductor
半导体
分离式半导体
transistor
s
bipolar
-
bjt
npn
transistor
general
purpose
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