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型号 |
厂商 |
标准 |
分类 |
描述 |
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BGB 719N7ESD E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 放大器
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IC amp mmic RF FM radio tsnp-7 |
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BGA 748N16 E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 放大器
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IC amp mmic quad-band LN tsnp-16 |
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BGM 1034N7 E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 前端 (LNA + PA)
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IC amp mmic RF 17.0db tsnp-7 |
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BGM 781N11 E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 前端 (LNA + PA)
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module gps front-end tsnp-11-2 |
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BGM 1032N7 E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 其它 IC 和模块
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module gps front-end tsnp-7-10 |
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BGM 1033N7 E6327 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 其它 IC 和模块
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module gps front-end tsnp-7-10 |
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BGT24LTR11N16 |
Infineon Technologies |
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传感器,变送器
光学传感器
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bgt24ltr11是用于信号生成和接收的硅锗雷达mmic,工作在24.0ghz至24.25ghz ism频段。它基于24ghz基本压控振荡器(vco)。该设备在设计时就考虑了多普勒雷达应用,因为它能够将发射信号保持在ism频段内,而无需任何外部pll,并且还可以用于其他类型的雷达,例如fmcw或fsk。该器件采用0.18μmsige:C技术制造,截止频率为200ghz。它采用16引脚无铅rohs兼容tsnp封装。 |
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BGA924N6板 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 评估和开发套件,板
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功能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚) •无铅(符合rohs要求)封装 |
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BGA924N6板 |
Infineon Technologies |
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无源元器件
RF 评估和开发套件,板
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能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚) |