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Image: TLE7268LC TLE7268LC Infineon Technologies 无源元器件 RF 收发器 tle7268LC是英飞凌第二代dual lin收发器，设计用于高达20 kbps的数据传输速率，完全符合iso17987-4，lin规范2.2A和sae j2602标准。tle7268LC采用具有引线尖端检查（lti）功能的微型无铅tson-14封装，从而提供了自动光学检查（aoi）功能。这使得tson-14封装的dual lin收发器非常适合空间狭小要求使用最小封装的应用。在与车身和内部电子设备相关的应用中，lin网络的数量正在稳定增长。结果，一些车身控制模块（bcm）需要提供超过20条lin总线连接。此外，为了实现最诱人的bom成本，还要求用于高端bcm功能的不同组件数量变体。英飞凌的tle7268LC在这里提供了一个完美的解决方案，将tson-14封装与其他单通道lin收发器的模块化pcb放置功能相结合，例如tle7258le或tle7259-3le。与英飞凌的tle7268 dual lin相比，可用的quad lin解决方案不能提供这种放置灵活性。同样，quad lin器件的更高集成度不一定会导致更有效，更节省空间的pcb布局。 除了车身控制模块之外，新型tle7268LC还非常适合网关和超声波停车模块，在超声波停车模块中，传感器通过专用lin总线连接到中央模块。 tle7268还以标准的dso-14封装（即tle7268SK）提供
Image: AH5795-WU-7 AH5795-WU-7 Diodes Incorporated 半导体 集成电路 - IC motor / motion / ignition controllers & drivers hall driver,tsot26,T driver,tsot26,3K
Image: TLE7251VSJ TLE7251VSJ Infineon Technologies 光电子 光纤 - 收发器 tle7251v 是一款专为汽车和工业应用中的 HS can 网络而设计的收发器。作为物理总线层和 can 协议控制器之间的接口，tle7251v 将信号驱动到总线，并保护微控制器免受网络内产生的干扰。基于 canH 和 canL 信号的高对称性，tle7251v 可以在广泛的频率范围内提供极低的电磁辐射 (eme) 水平。tle7251v 采用小型无铅 PG-tson-8 封装和 PG-dso-8 封装。两种封装均符合 rohs 且无卤素。此外，PG-tson-8 封装支持自动光学检测 (aoi) 的焊点要求。tle7251vLE 和 tle7251vSJ 满足或超过 iso11898-2 的要求。tle7251v 提供数字电源输入 vio 和待机模式。其设计满足 can FD 的增强物理层要求，并支持高达 2 mbit/s 的数据速率。基于 HS can 总线接口上非常低的漏电流，tle7251v 可以在断电状态下提供出色的被动行为。这些以及其他特性使得 tle7251v 非常适合混合供电 HS can 网络。基于英飞凌智能功率技术 spt，tle7251v 具有出色的 esd 抗扰度和极高的电磁抗扰度（emi）。tle7251v 和英飞凌 spt 技术均经过 aec 认证，可以承受恶劣的汽车环境条件。两种不同的运行模式、txd 超时等额外的故障保护功能以及 canH 和 canL 信号的优化输出转换速率，使 tle7251v 成为了具有高数据传输速率的大型 HS can 网络的理想选择。
Image: DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet bvdss: 41v-60 1V-60v tsot26 T&R 3K
Image: NTGD3149CT1G NTGD3149CT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet comp tsop6 20v 3A TR
Image: NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet pfet tsop6 60v 2.5A 110mohm
Image: NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet comp 30v 2.9A 0.090 tsop6
Image: MBT35200MT2G MBT35200MT2G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt tsop6 pnp xstr spcl
Image: TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 150v 59mohm (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 200v 126m (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 250v 200m (vgs=10v) tson-adv
Image: AL8808WT-7 AL8808WT-7 Diodes Incorporated 半导体 集成电路 - IC led lighting drivers led MV int switch TS switch tsot25 T&R 3K
Image: NCP308SNADJT1G NCP308SNADJT1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits adjustable ncp308 tsop6
Image: DS28E05P+T DS28E05P+T Maxim Integrated 半导体 集成电路 - IC eeprom 1W 1kb ftp memory tsoc
Image: DS28E05P+ DS28E05P+ Maxim Integrated 半导体 集成电路 - IC eeprom 1W 1kb ftp memory tsoc
Image: NCP308SN180T1G NCP308SN180T1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 1.8V ncp308 tsop6
Image: NCP308SN280T1G NCP308SN280T1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 2.8V ncp308 tsop6
Image: NCP308SN300T1G NCP308SN300T1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3.0V ncp308 tsop6
Image: NCP308SN120T1G NCP308SN120T1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 1.2V ncp308 tsop6
Image: NCP308SN330T1G NCP308SN330T1G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3.3V ncp308 tsop6

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