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Image: FDJ129P_07 FDJ129P_07 Fairchild Semiconductor P-channel -2.5 vgs specified powertrench mosfet
Image: SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 Vishay 半导体 晶体管 mosfet 150v vds 20v vgs powerpak SO-8dc
Image: DRV8353RF DRV8353RF Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 9至100-V，三半桥门驱动器 可选集成降压调节器 可选三低侧电流分流放大器 功能安全质量管理 有助于iec 61800-5-2功能安全系统设计的文件 智能门驱动架构 电磁干扰性能的可调转换率控制 vgs握手和最小死区时间插入，以防止射穿 50 mA至1-A峰值电源电流 100毫安至2安峰值漏电流 通过强力下拉降低dV/dt 集成门驱动器电源 用于100%pwm占空比控制的高压侧倍增器电荷泵 低压侧线性调节器 集成lm5008a降压调节器 6至95-V工作电压范围 2.5至75-V，350 mA输出能力
Image: DRV8350RF DRV8350RF Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 9至100-V，三半桥门驱动器 可选集成降压调节器 可选三低侧电流分流放大器 功能安全质量管理 有助于iec 61800-5-2功能安全系统设计的文件 智能门驱动架构 电磁干扰性能的可调转换率控制 vgs握手和最小死区时间插入，以防止射穿 50 mA至1-A峰值电源电流 100毫安至2安峰值漏电流 通过强力下拉降低dV/dt 集成门驱动器电源 用于100%pwm占空比控制的高压侧倍增器电荷泵 低压侧线性调节器 集成lm5008a降压调节器 6至95-V工作电压范围
Image: DRV8350RF DRV8350RF Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 9至100-V，三半桥门驱动器 可选集成降压调节器 可选三低侧电流分流放大器 功能安全质量管理 有助于iec 61800-5-2功能安全系统设计的文件 智能门驱动架构 电磁干扰性能的可调转换率控制 vgs握手和最小死区时间插入，以防止射穿 50 mA至1-A峰值电源电流 100毫安至2安峰值漏电流 通过强力下拉降低dV/dt 集成门驱动器电源 用于100%pwm占空比控制的高压侧倍增器电荷泵 低压侧线性调节器 集成lm5008a降压调节器 6至95-V工作电压范围 2.5至75-V，350 mA输出能力 集成三重电流并联放大器 可调增益（5、10、20、40 V/V） 双向或单向支撑 6x、3x、1x和独立pwm模式 支持120°传感器操作 提供spi或硬件接口 低功耗休眠模式（vvm=48-V时为20µA） 集成保护功能 VM欠压锁定（uvlo） 门驱动电源欠压（gduv） mosfet vds过流保护（ocp）
Image: DRV8353RF DRV8353RF Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 9至100-V，三半桥门驱动器 可选集成降压调节器 可选三低侧电流分流放大器 功能安全质量管理 有助于iec 61800-5-2功能安全系统设计的文件 智能门驱动架构 电磁干扰性能的可调转换率控制 vgs握手和最小死区时间插入，以防止射穿
Image: EVAL-FFXMR12KM1DR EVAL-FFXMR12KM1DR Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 特征描述 采用coolsic™trench mosfet技术的62mm模块半桥驱动器 电气和机械均适合采用coolsic™trench mosfet技术的600 V 62 mm模块 负电压调节范围为-5 V至0 V 正电压调节，可实现高开关频率 适当的pcb设计以限制操作期间的pcb发热 优势 适应的栅源电压（vgs = -5…0 V / + 15…+18 V） 电路板的热设计针对高开关频率进行了优化 即插即用，可立即使用的主板解决方案进行设备测试
Image: SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet 60v vdss 20v vgss 200ma ID 150mw
Image: SSM3K7002BS,LF SSM3K7002BS,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet 60v vdss 20v vgss 200ma ID 150mw
Image: SSM3K36FS(T5L,F,D) SSM3K36FS(T5L,F,D) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet 20v vds 10v vgss 500ma ID 150mw PD
Image: SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET SM sig N-CH mos 0.1A 30v -20 vgss
Image: DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet 30v comp enh mode H-bridge 20v vgss
Image: DMN3005LK3-13 DMN3005LK3-13 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 MOSfet N-Ch fet vdss 30v vgss 20v PD 1.68w
Image: SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosFET SM sig N-CH mos 30v 3.5A 12v vgss
Image: DMP210DUDJ-7 DMP210DUDJ-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch dual mosfet 20v vdss 8V vgss
Image: DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet 20v vdss 6V vgss complementary pair
Image: DMS3019SSD-13 DMS3019SSD-13 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet dual N-Ch diofet vdss 30v vgss 12v
Image: SSM6J771G,LF SSM6J771G,LF Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet P-Ch ssm -5A -20v 12v vgss 0.035ohm
Image: SSM3K36MFV(TL3,T) SSM3K36MFV(TL3,T) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet 20v vdss 10v vgss N-Ch 150mw PD
Image: DMN3030LFG-7 DMN3030LFG-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 MOSfet 650v N-Ch enh fet 30v vdss 25v vgss

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