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Image:       CBTU4411EE CBTU4411EE NXP Semiconductors 半导体 逻辑 使能(EN)和选择信号(S0,S1)兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2(ddr2sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s,200 mhz400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1:4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off(高阻)位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101750 V cdm