|   | LMG1210 | Texas Instruments |  | 半导体
        
        功率驱动器 | 工作频率高达 50mhz 10ns 典型传播延迟 3.4ns 高侧至低侧匹配 4ns 最小脉宽 两个控制输入选项 具有可调死区时间的单个 pwm 输入 独立输入模式 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 外部自举二极管可实现灵活性 内部 ldo 可实现对电压轨的适应能力 高 300v/ns cmti HO 到 LO 的电容小于 1pf uvlo 和过热保护 低电感 wqfn 封装 | 
    |   | 1N4148WS-E3-18 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 350ma 4ns | 
    |   | 1N4148WFL-G3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100volt 500ma 4ns | 
    |   | 1N4448W-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 500ma 4ns | 
    |   | 1N4148-P-TR | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 500ma 4ns | 
    |   | IMBD4148-E3-18 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100v 150ma 4ns 500ma ifsm | 
    |   | 1N4148W-E3-18 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 500ma 4ns | 
    |   | MMBD914-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 200ma 4ns | 
    |   | MMBD7000-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 200ma 4ns 500ma ifsm | 
    |   | BAS16VV-7 | Diodes Incorporated |   | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 1.5pf 4ns switching 100v diode array | 
    |   | 1N4148W-13-F | Diodes Incorporated |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 400mw 100vrrm 4ns | 
    |   | MMBD914-V-GS08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 200ma 4ns | 
    |   | 1N4148WSFL-G3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100volt 350ma 4ns | 
    |   | 1N4447 | Fairchild Semiconductor |  | 半导体
        
        分离式半导体 | schottky diodes & rectifiers single junc. 100v 4ns switching | 
    |   | 1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 50 volt 500ma 4ns | 
    |   | 1N4148W-HE3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 500ma 4ns | 
    |   | BAV99BRV-7 | Diodes Incorporated |   | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 0.715v at 1ma 4ns 1.5pf diode array | 
    |   | MMBD6050-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 70 volt 200ma 4ns 500ma ifsm | 
    |   | MMBD7000-E3-18 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 200ma 4ns 500ma ifsm | 
    |   | 1N4448WS-E3-08 | Vishay Semiconductors |  | 半导体
        
        分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching 100 volt 150ma 4ns 500ma ifsm |