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器件类型半导体
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Image: TIP117 TIP117 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 pnp darlington - connected silicon power transistors 3-TO-220
Image: TIP121 TIP121 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 npn darlington - connected silicon power transistors 3-TO-220
Image: STSPIN32F0252 STSPIN32F0252 STMicroelectronics 半导体 功率驱动器 带mcu的250 V三相控制器
Image: LED8102S LED8102S STMicroelectronics 半导体 功率驱动器 具有直接开关控制的8通道led驱动器
Image: TLD2331-3EP TLD2331-3EP Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 litix™basic + tld2331-3ep是具有集成输出级的三通道高端驱动器IC。
Image: IAUA180N04S5N012 IAUA180N04S5N012 Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 采用stoll封装的新型optimos™-5 40 V mosfet（7x8 mm2高功率无铅封装），用于未来的汽车应用（jedec名称为MO-319a，iec名称为hsof-5）。
Image: IAUC60N04S6L039 IAUC60N04S6L039 Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 英飞凌推出采用5x6mm²ss08无铅封装的最新Optimos™6 40v功率mos技术，具有最高的质量水平和耐用性，适用于汽车应用。
Image: IAUA120N04S5N014 IAUA120N04S5N014 Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 采用stoll封装的新型optimos™-5 40 V mosfet（7x8 mm2高功率无铅封装），用于未来的汽车应用（jedec名称为MO-319a，iec名称为hsof-5）。
Image: TLF35584QKVS1 TLF35584QKVS1 Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 tlf35584是一款适用于安全相关应用的多输出系统电源，通过在宽输入电压范围内的高效，灵活的前置/后置稳压器概念为5V-μC，收发器和传感器供电。
Image: ADA4945-1 ADA4945-1 Analog Devices Inc 半导体 功率驱动器 高速、±0.3µV/°C 失调漂移、全差分 adc 驱动器
Image: ADuM4137 ADuM4137 Analog Devices Inc 半导体 功率驱动器 具有故障检测功能的高电压隔离式 igbt 栅极驱动器
Image: TLE7242-2G TLE7242-2G Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 tle7242-2G IC是一款四通道低端恒流控制预驱动器IC。通过将spi消息＃7中的相应mode位置1，可以将每个通道配置为在开/关模式或恒流模式下工作。
Image: TLE82453-3SA TLE82453-3SA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 tle 82453是一款灵活的单片螺线管驱动器IC，设计用于自动变速箱，电子稳定性控制和主动悬挂应用中的线性螺线管控制。这三个通道可以任意组合用作低端或高端驱动器。该器件包括驱动晶体管，再循环晶体管和电流检测电阻器。减少所需外部组件的数量。该器件能够根据抖动设置和负载特性，以0.73 mA的分辨率调节负载最大1500 mA的平均电流。启用后，三角抖动波形发生器会将具有可编程幅度和频率的三角波形叠加在已编程的电流设定点上
Image: TLE82452-3SA TLE82452-3SA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 tle 82452是一种灵活的整体式螺线管驱动器IC，设计用于自动变速箱，电子稳定性控制和主动悬挂应用中的线性螺线管控制。
Image: UCC27288 UCC27288 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 驱动两个N沟道mosfet的高边低边配置 16ns典型传播延迟 在1800 pF负载下，上升12 ns，下降10 ns 1-ns典型延迟匹配 可配置外部自举二极管 8-V典型欠压闭锁 输入端绝对最大负电压处理（–5 V） HS上的绝对最大负电压处理（–14 V） 3.5-A接收器，2.5-A源输出电流 绝对最大启动电压120 V
Image: UCC27282-Q1 UCC27282-Q1 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级 器件 hbm esd 分类等级 1B 器件 cdm esd 分类等级 C3 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 在 drc 封装中启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1.8nf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入上的 5V 负电压处理 HS 上的 14v 负电压处理 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成的自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 150°C
Image: LM5108 LM5108 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 采用 3mm × 3mm 封装 互锁或跨导保护 启用/禁用功能 HS 引脚上的绝对最大负电压处理能力 (-5V) 5V 典型欠压锁定 20ns 典型传播延迟 1000pf 负载时的上升时间为 11ns，下降时间典型值为 8ns 1ns 典型延迟匹配 2.6A 灌电流，1.6A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 110v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成式自举二极管
Image: LMG1210 LMG1210 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 工作频率高达 50mhz 10ns 典型传播延迟 3.4ns 高侧至低侧匹配 4ns 最小脉宽 两个控制输入选项 具有可调死区时间的单个 pwm 输入 独立输入模式 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 外部自举二极管可实现灵活性 内部 ldo 可实现对电压轨的适应能力 高 300v/ns cmti HO 到 LO 的电容小于 1pf uvlo 和过热保护 低电感 wqfn 封装
Image: UCC27282 UCC27282 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1800pf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14v 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

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