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Image: 1130B 1130B Aavid Thermalloy 热量管理 散热片 heat sinks thermal link w/beo black anodize
Image: TX0506-1B TX0506-1B CTS Electronic Components 热量管理 散热片 heat sinks therml link retainer w/o beo insulators
Image: TX0507-1B TX0507-1B CTS Electronic Components 热量管理 散热片 heat sinks thermal lnk retainer WO/beo insulatr TO-5
Image: MSA-0520 MSA-0520 Avago Technologies 无源元器件 RF 放大器 amp mmic SI bipolar 200-mil beo
Image: MSA-1120 MSA-1120 Avago Technologies 无源元器件 RF 放大器 amp mmic SI bipolar 200-mil beo
Image: MSA-0420 MSA-0420 Avago Technologies 无源元器件 RF 放大器 amp mmic SI bipolar 200-mil beo
Image: LET9045C LET9045C STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045c是一种共源N沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045c设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
Image: LET9045F LET9045F STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045f是一种共源n沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045f设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
Image: LET9120 LET9120 STMicroelectronics 半导体 晶体管 LET9120是一种共源n沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.6ghz的宽带商业和工业应用。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置推拉 18兆赫时增益为120兆赫=120兆赫 beo免费套餐

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