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Image: LET9045F LET9045F STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045f是一种共源n沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045f设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令

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