关键词cmti
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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AMC3306M25DWER | Texas Instruments | amc3306m25 high-precision, reinforced isolated delta-sigma modulator with integrated DC/DC converter and high cmti datasheet | ||
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AMC3306M25DWE | Texas Instruments | amc3306m25 high-precision, reinforced isolated delta-sigma modulator with integrated DC/DC converter and high cmti datasheet | ||
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PAMC3306M25DWER | Texas Instruments | amc3306m25 high-precision, reinforced isolated delta-sigma modulator with integrated DC/DC converter and high cmti datasheet | ||
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ADUM4135 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 优势和特点 产品详情 4A峰值驱动输出能力 输出功率器件电阻：<1 Ω 去饱和保护n 隔离的去饱和故障报告 故障时软关断 带栅极检测输入的米勒箝位输出 隔离故障和就绪功能 低传播延迟：55 ns（典型值） 最小脉冲宽度：50 ns 工作温度范围：−40°C至+125°C 输出电压范围至30v 输入电压范围：2.3 V至6 V 输出和输入欠压闭锁(uvlo) 爬电距离：7.8 mm（最小值）/li> 共模瞬变抗扰度(cmti)：100 kV/µs 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年 安全和法规认证 1分钟5 kV AC，符合UL 1577 csa元件验收通知5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm= 849 V峰值（强化/基本） | |
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ISO1042 | Texas Instruments | 半导体 接口 | 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V 优异的电磁兼容性 (emc) 系统级 esd、eft 和浪涌抗扰性 | |
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ISO1042-Q1 | Texas Instruments | 半导体 接口 | 符合面向汽车应用的 aec q100 标准 等级 1：–40°C 至 125°C 的环境温度范围 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V | |
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ISO7821LL | Texas Instruments | 半导体 接口 | 符合 tia/eia-644-A lvds 标准 信号传输速率：高达 100mbps 宽电源电压范围：2.25v 至 5.5V 宽环境温度范围：-55°C 至 +125°C 低功耗，100mbps 时每通道的电流： 典型值 9.3ma (iso7820ll) 典型值 9.5ma (iso7821ll) 低传播延迟：17ns（典型值） 行业领先的 cmti（最小值）：±100kv/μs | |
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ISO7821LLS | Texas Instruments | 半导体 接口 | 符合 tia/eia-644-A lvds 标准 信号传输速率：50mbps 至 150mbps 针对直流均衡数据进行了优化 宽电源电压范围：3V 至 5.5V 宽温度范围：-55°C 至 125°C 低功耗：电流典型值为 10.3ma/通道（150mbps 时） 低传播延迟：17ns（典型值） 行业领先的 cmti（最小值）：±100kv/μs 优异的电磁兼容性 (emc) 系统级静电放电 (esd)、瞬态放电 (eft) 以及抗浪涌保护 | |
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ISO7820LL | Texas Instruments | 半导体 接口 | 符合 tia/eia-644-A lvds 标准 信号传输速率：高达 100mbps 宽电源电压范围：2.25v 至 5.5V 宽环境温度范围：-55°C 至 +125°C 低功耗，100mbps 时每通道的电流： 典型值 9.3ma (iso7820ll) 典型值 9.5ma (iso7821ll) 低传播延迟：17ns（典型值） 行业领先的 cmti（最小值）：±100kv/μs | |
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LMG1210 | Texas Instruments | 半导体 功率驱动器 | 工作频率高达 50mhz 10ns 典型传播延迟 3.4ns 高侧至低侧匹配 4ns 最小脉宽 两个控制输入选项 具有可调死区时间的单个 pwm 输入 独立输入模式 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 外部自举二极管可实现灵活性 内部 ldo 可实现对电压轨的适应能力 高 300v/ns cmti HO 到 LO 的电容小于 1pf uvlo 和过热保护 低电感 wqfn 封装 | |
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ISO6741 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 温度范围广：–40°C至125°C 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放 宽soic（DW-16）封装 安全相关认证（待定）： din V vde 0884-11:2017-01 UL 1577部件识别程序 | |
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ISO6741-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | aec-q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至+125°C环境工作温度范围 满足vda320隔离要求 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放 | |
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ISO6721 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 450 vrms工作电压下的高寿命 高达3000 vrms的隔离等级 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71-V至5.5-V电平转换 默认输出高（iso6721b）和低（iso6721fb）选项 宽温度范围：-40°C至+125°C 1 mbps时，每个通道1.8 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放 | |
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ISO6721-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 450 vrms工作电压下的高寿命 高达3000 vrms的隔离等级 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71-V至5.5-V电平转换 默认输出高（iso6721b）和低（iso6721fb）选项 宽温度范围：-40°C至+125°C 1 mbps时，每个通道1.8 mA 低传播延迟：11 ns典型值 aec-q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至+125°C环境工作温度范围 满足vda320隔离要求 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 | |
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ISOW7841A-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 适合汽车应用 aec-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至125°C环境工作温度 100 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： >工作电压为1 kvrms时的100年预期寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kvpk浪涌能力 ±100 kV/µs最小cmti 片上变压器集成高效DC-DC变换器 3-V至5.5-V宽输入电源范围 调节5-V或3.3-V输出 输出功率高达0.65瓦 5伏至5伏；5伏至3.3伏：有效负载电流≥130毫安 3.3V～3.3V：有效负载电流≥75ma；3.3V～5V：有效负载电流≥40ma 软启动限制涌流 过载和短路保护 热关断 | |
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ISO7741E-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 适合汽车应用 aec-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至125°C环境工作温度 100 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： >工作电压为1 kvrms时的100年预期寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kvpk浪涌能力 ±100 kV/µs最小cmti 片上变压器集成高效DC-DC变换器 3-V至5.5-V宽输入电源范围 调节5-V或3.3-V输出 输出功率高达0.65瓦 5伏至5伏；5伏至3.3伏：有效负载电流≥130毫安 3.3V～3.3V：有效负载电流≥75ma；3.3V～5V：有效负载电流≥40ma 软启动限制涌流 过载和短路保护 热关断 | |
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AMC3306M05 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 3.3-V或5-V单电源，带集成式DC/DC转换器 ±50 mV输入电压范围，针对使用分流电阻器的电流测量进行了优化 低直流误差： 偏移误差：±50µV（最大值） 偏移漂移：±0.4µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2%（最大值） 增益漂移：±35 ppm/°C（最大值） 高cmti:75 kV/µs（最小值） 系统级诊断功能 低电磁干扰：符合cispr-11和cispr-25标准 安全相关认证： 6000-V峰值加强隔离符合din vde V 0884-11 根据ul1577，4250-vrms隔离1分钟 在扩展的工业温度范围内完全规定：–40°C至+125°C | |
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AMC3306M25 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 带集成DC/DC转换器的3.3-V或5-V单电源 ±250 mV输入电压范围，针对使用并联电阻器的电流测量进行了优化 低直流错误： 偏移误差：±50µV（最大） 偏移漂移：±1µV/°C（最大） 增益误差：±0.2%（最大） 增益漂移：±35 ppm/°C（最大值） 高cmti:75 kV/µs（最小值） 系统级诊断功能 安全相关认证： 根据din vde V 0884-11，6000-V峰值加强隔离 根据ul1577，4250-vrms隔离1分钟 符合cispr-11和cispr-25电磁干扰标准 | |
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AMC3306M05 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 带集成DC/DC转换器的3.3-V或5-V单电源 ±50 mV输入电压范围，针对使用并联电阻器的电流测量进行了优化 低直流错误： 偏移误差：±50µV（最大） 偏移漂移：±0.4µV/°C（最大） 增益误差：±0.2%（最大） 增益漂移：±35 ppm/°C（最大值） 高cmti:75 kV/µs（最小值） 系统级诊断功能 低电磁干扰：符合cispr-11和cispr-25标准 安全相关认证： 根据din vde V 0884-11，6000-V峰值加强隔离 根据ul1577，4250-vrms隔离1分钟 在扩展的工业温度范围内完全指定：-40°C至+125°C | |
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AMC3302 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 带集成DC/DC转换器的3.3-V或5-V单电源 ±50 mV输入电压范围，针对使用并联电阻器的电流测量进行了优化 固定增益：41 低直流错误： 偏移电压：±50µV（最大） 偏移漂移：±0.5µV/°C（最大） 增益误差：±0.2%（最大） 增益误差漂移：±35 ppm/°C（最大值） 非线性：±0.03%（最大值） 高cmti:85 kV/µs（最小值） 系统级诊断功能 符合cispr-11和cispr-25电磁干扰标准 安全相关认证： 符合din vde V 0884-11的6000-vpk加强型隔离 根据ul1577，4250-vrms隔离1分钟 在扩展的工业温度范围内完全指定：-40°C至+125°C |
