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Image:   EVAL-FFXMR12KM1DR EVAL-FFXMR12KM1DR Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 特征描述 采用coolsictrench mosfet技术的62mm模块半桥驱动器 电气和机械均适合采用coolsictrench mosfet技术的600 V 62 mm模块 负电压调节范围为-5 V至0 V 正电压调节,可实现高开关频率 适当的pcb设计以限制操作期间的pcb发热 优势 适应的栅源电压(vgs = -5…0 V / + 15…+18 V) 电路板的热设计针对高开关频率进行了优化 即插即用,可立即使用的主板解决方案进行设备测试
Image:    KIT_6W_13V_P7_950V KIT_6W_13V_P7_950V Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 辅助DC-DC电源解决方案,具有离线smps电流模式控制器IC和950v coolmosTM P7超结mosfet 在用于服务器,电信和工业应用的电源中,除主电源转换器外,通常还有一个小型偏置电源。该KIT_6W_13v_P7_950v偏置板设计为在一个系统中运行,在该系统中,该电路板由升压功率因数校正(pfc)转换器的400vdc输出连续供电,并为风扇,栅极驱动器和控制器供电。该评估板使用ice5qsag准谐振(QR)反激控制器和新型950v coolmos™P7(ipu95r3k7p7)。950v的击穿电压为系统提供了额外的余量,以确保偏置在浪涌事件中继续持续。此设计作为无缓冲反激转换器完成,以进一步提高整个负载范围内的效率。 特征描述 使用英飞凌第二代控制器的准谐振反激 无忧操作,提高效率 950v击穿电压允许在更高的输入电压下工作 初级侧稳压13v和次级侧非稳压13v输出 优势 高效率 低成本解决方案 由于消除了缓冲网络,减少了pcb热点
Image:    EVAL-600W-12V-LLC-A EVAL-600W-12V-LLC-A Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 功能概要 效率@ 10%负载> 95% 50%负载> 97.4%时的峰值效率 输出电压:12v 输出电流:50a 好处摘要 该板有以下几种型号: 具有coolmos™P6的600w 12v llc 模拟版本 具有coolmos™P6的600w 12v llc 数字版本
Image: IPW65R045C7 IPW65R045C7 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 650v coolmos C7 power trans; 45mohm
Image: IPB60R199CPA IPB60R199CPA Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 600v coolmos power transistor
Image: IPW60R045CPA IPW60R045CPA Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power transistor
Image: MKE38RK600DFELB-TRR MKE38RK600DFELB-TRR IXYS 半导体 分离式半导体 igbt transistors coolmos power mosfet
Image: MKE38RK600DFELB MKE38RK600DFELB IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power mosfet
Image: MCK200-18io1 MCK200-18io1 IXYS 半导体 分离式半导体 bridge rectifiers water cooled moudles
Image: FDM47-06KC5 FDM47-06KC5 IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power mosfet w/ hiperdyn fred
Image: 6MS12017E32G28012 6MS12017E32G28012 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt modules 300a AC at 690v AC air cooled
Image: 12MS08017F63G22903 12MS08017F63G22903 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt modules 3 x 277a AC at 690v AC air cooled
Image: 6PS04006E33G29000 6PS04006E33G29000 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 igbt modules 400a AC at 230v AC air cooled
Image: IPD65R380E6 IPD65R380E6 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 650v coolmos E6 power transistor
Image: IPD65R420CFD IPD65R420CFD Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos 650v 420mohm cfd2 N-chan mosfet
Image: IPB65R310CFD IPB65R310CFD Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos 650v 310mohm cfd2 N-chan mosfet
Image: IPB65R190C6 IPB65R190C6 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 650v coolmos C6 power transistor
Image: IPB60R190C6 IPB60R190C6 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 600v coolmos C6 power transistor
Image: IPL60R199CP IPL60R199CP Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 600v coolmoscp power transistor
Image: IPB60R160C6 IPB60R160C6 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 600v coolmos C6 power transistor