关键词hbm
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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CBTU4411EE | NXP Semiconductors | 半导体 逻辑 | 使能（EN）和选择信号（S0，S1）兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2（ddr2）sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s，200 mhz至400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1：4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off（高阻）位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101的750 V cdm | |
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CBTV24DD12ET | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 12位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单的cmos选择引脚（sel0，sel1） 简单的cmos使能引脚（EN） 性能 3200 MT / s吞吐率 7.4 ghz带宽（用于单端和差分信号） 低导通损耗 低回波损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为8Ω） 低ΔR ON（<1Ω） 一般属性 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为600 µA） 这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护 esd耐用性超过2.5 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，3.0 mm×8.0 mm×1.0 mm尺寸，0.65 mm间距，无铅/深绿色 | |
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CBTW28DD14 | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 14位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单cmos选择引脚（sel） 简单cmos使能引脚（EN） 性能 2.5 ghz带宽 低导通损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_135，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为10） 一般属性 1.5 V或1.8 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为300μA） esd耐用性超过3 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，4.5 mm×4.5 mm×0.8 mm尺寸，0.5 mm间距，无铅/深绿色 | |
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NCX2202 | NXP Semiconductors | 半导体 逻辑 | 1.3 V至5.5 V的宽电源电压范围（功能工作范围） 轨到轨输入/输出性能 6 µA（典型值）的极低电源电流 低功耗 输入信号过驱动时无相位反转 内部磁滞 传播延迟为0.8 µs（典型值） 静电防护： hbm jesd22-a114f 1C类超过1500 V cdm jesd22-c101e超过1000 V 多种包装选择 额定温度范围为-40ºC至+85ºC | |
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NCX2220 | NXP Semiconductors | 半导体 逻辑 | 1.3 V至5.5 V的宽电源电压范围（功能工作范围） 轨到轨输入/输出性能 每个比较器的电源电流非常低，仅为5μA（典型值） 低功耗 输入信号过驱动时无相位反转 内部磁滞 传播延迟为0.8μs（典型值） 静电防护： hbm jesd22-a114f 3A类 超过2000 V cdm jesd22-c101e超过1000 V 多种包装选择 规定温度为-40℃至+85℃ | |
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DEMOBOARD TLE9252VSK | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 睡眠模式下的电流消耗 静电喷枪试验 esd-hbm型号 emc测试通过：iec62228，不同标准 | |
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PCA9663B | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 1 mbit / s和高达30 mA的scl / sda I OL快速模式增强（Fm +）功能 内部振荡器调整为1％的精度，减少了外部元件 Fm +通道的单独4352字节缓冲区，总共13056字节的缓冲区空间 复位的三个级别：单个软件复位，全局软件复位，全局硬件reset引脚 以一个串行序列在每个通道上最多与64个从站通信 使用间隔计时器进行序列循环 支持scl时钟延长 jtag端口可用于电路板制造过程中的边界扫描测试 触发输入使串行通信与外部事件完全同步 可屏蔽的中断 快速模式plusi²C总线，并与smbus兼容 工作电源电压：3.0 V至3.6 V（设备和主机接口） I²C总线I / O电源电压：3.0 V至5.5 V 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 esd保护超过每个Jesd22-a114的8000 V hbm和每个Jesd22-c101的1000 V cdm 提供的封装：lqfp48 | |
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PCA9665_PCA9665A | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 主从功能 多主机功能 内部振荡器调整为15％的精度，减少了外部元件 1 mbit / s和高达25 mA的scl / sda I OL（快速模式plus（Fm +））功能 I²C总线通用呼叫功能 并行总线上的软件重置 68字节数据缓冲区 工作电源电压：2.3 V至3.6 V 5 V耐压I / O 具有标准模式和快速模式I²C总线，并与smbus兼容 pca9665A“无故障”重启适用于缓冲区驱动程序 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的套餐： pca9665：so20，tssop20，hvqfn20 pca9665A：tssop20 | |
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AMC1305M25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±150µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 | |
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AMC1304M25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 | |
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MAX33251E | Maxim Integrated | 半导体 接口 | 主要特征 高度集成节省空间及简化设计 集成电荷泵和转换器省去额外电源 4个内部电容节省pcb空间 集成隔离器比分立式方案节省高达63% 集成保护，支持可靠的通信 600vrms隔离耐压，可持续60秒(viso) 200vrms工作电压，寿命可长达50年以上(viowm) 集成±15kv esd人体模式(hbm) 应用/用途 通信系统 通信系统 gps装置 工业设备 医疗装置 pos系统 | |
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AMC1304M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 | |
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AMC1304L05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 | |
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AMC1305M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±150µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 | |
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DEMOBOARD TLE9252VSK | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 睡眠模式下的电流消耗 静电枪试验 esd-hbm型号 emc测试通过：iec62228，不同标准 | |
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PCA9665_PCA9665A | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 特征 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 主从功能 多主机功能 内部振荡器调整为15％的精度，减少了外部元件 1 mbit / s和高达25 mA的scl / sda I OL（快速模式plus（Fm +））功能 I²C总线通用呼叫功能 并行总线上的软件重置 68字节数据缓冲区 工作电源电压：2.3 V至3.6 V 5 V耐压I / O 具有标准模式和快速模式I²C总线，并与smbus兼容 pca9665A“无故障”重启适用于缓冲区驱动程序 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的套餐： pca9665：so20，tssop20，hvqfn20 pca9665A：tssop20 | |
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PCA9663B | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 1 mbit / s和高达30 mA的scl / sda I OL快速模式增强（Fm +）功能 内部振荡器调整为1％的精度，减少了外部元件 Fm +通道的单独4352字节缓冲区，总共13056字节的缓冲区空间 复位的三个级别：单个软件复位，全局软件复位，全局硬件reset引脚 以一个串行序列在每个通道上最多与64个从站通信 使用间隔计时器进行序列循环 支持scl时钟延长 jtag端口可用于电路板制造过程中的边界扫描测试 触发输入使串行通讯与外部事件完全同步 可屏蔽的中断 快速模式plusi²C总线，并与smbus兼容 工作电源电压：3.0 V至3.6 V（设备和主机接口） I²C总线I / O电源电压：3.0 V至5.5 V 闩锁测试是根据jedec标准Jesd78（超过100 mA）进行的 esd保护超过每个Jesd22-a114的8000 V hbm和每个Jesd22-c101的1000 V cdm 提供的封装：lqfp48 | |
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P82B715 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 双路，双向，单位电压增益缓冲器，无需外部方向控制 与i2c总线及其衍生产品smbus，pmbus，ddc等兼容 逻辑信号电平可能包括（但不超过）电源和接地 逻辑信号输入电压电平输出不变，与V CC无关 x10阻抗变换，但不改变逻辑电压电平 电源电压范围3 V至12 V 在其他系统延迟允许的情况下，时钟速度至少为100 khz和400 khz esd保护超过每mil 2500 V hbm。符合Jesd22-a115的std 883c-3015.7和400 V MM（I / O具有连接至vcc和gnd的二极管） 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 | |
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PCA9509 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1.35 V至V CC（B） ‑ 1.0 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 端口A的工作电源电压范围为1.35 V至V CC（B） -1.0 V，端口B的工作电源电压范围为3.0 V至5.5 V 5 V耐压端口B scl，sda和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率 备注：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop8，so8，xqfn8 | |
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PCA9511A | NXP Semiconductors | 半导体 二极管/齐纳阵列 | sda和scl线路的双向缓冲区增加了扇出，并防止在带电板插入和从多点背板系统中卸下时sda和scl损坏 兼容I²C总线标准模式，I²C总线快速模式和smbus标准 所有sda和scl线上的内置ΔV/Δt上升时间加速器（0.6 V阈值）要求总线上拉电压和电源电压（V CC）相同 高电平有效输入 高电平有效的开漏输出 V CC = 0 V的高阻抗sda和scl引脚 所有sda和scl线上的1 V预充电 支持时钟延长和多个主仲裁/同步 工作电源电压范围：2.7 V至5.5 V 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8，tssop8（msop8） |
