图片 |
型号 |
厂商 |
标准 |
分类 |
描述 |
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BCP55TA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
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transistors bipolar - bjt |
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BCP5116TA |
Diodes Incorporated |
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半导体
分离式半导体
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transistors bipolar - bjt |
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BCX56TA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
BCP56TA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
BCX5610TA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
KSE13009LTU |
Fairchild Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
BCP5510TA |
Diodes Incorporated |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
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NESG2101M05-EVPW24 |
CEL |
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半导体
分离式半导体
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transistors RF bipolar for nesg2101m05-A power at 2.4 ghz |
|
KSE13009TU |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
LM3046M |
Texas Instruments |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt transistor array |
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CGH40045F |
Cree Inc |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors RF jfet DC-4ghz 28v 45w gain 14db gan hemt |
|
CGH60120D |
Cree Inc |
 |
半导体
分离式半导体
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transistors RF jfet DC-6ghz 120w gan gain@ 4ghz 13db |
|
CGH40120F |
Cree Inc |
  |
半导体
分离式半导体
|
transistors RF jfet DC-2.5ghz 28v 120w gain 19db gan hemt |
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LM395T |
Texas Instruments |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt |
|
LM3046MX |
Texas Instruments |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt transistor array |
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2SA1807TLP |
Rohm Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
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transistors bipolar - bjt pnp;high voltage hfe rank 'P' |
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KSD794AYSTU |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt npn Si transistor epitaxial |
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FGA20S120M |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 1200v 20a SA FS |
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NE4210S01 |
CEL |
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半导体
分离式半导体
|
transistors RF jfet super Lo noise Hjfet |
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2N4870 |
Central Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt P-N unijunction |