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Image: BD6212FP BD6212FP Rohm Semiconductor 机电产品 电机与驱动器 7V max. H-bridge drivers_bd6212fp rohm的Ｈ电桥驱动器系列通过不同电源电压 (耐压7V/18v/36v) 与不同输出电流 (Iomax 0.5A/1A/2A) 的组合而形成品种齐全的多个型号产品，适用于各种用途。优化了以往产品中vref可变功能，在原来应用方式下方便地实现了低功耗化和高效率化。而且，由于内置有充足的保护电路，如温度保护电路 (tsd)、过流保护电路 (ocp)、过压保护电路 (ovp)、防欠压误操作电路 (uvlo) 等，所以在各种不同条件下都可以保护驱动器IC和负载，使整机具有高可靠性。
Image: BD6211HFP BD6211HFP Rohm Semiconductor 机电产品 电机与驱动器 7V max. H-bridge drivers_bd6211hfp rohm的Ｈ电桥驱动器系列通过不同电源电压 (耐压7V/18v/36v) 与不同输出电流 (Iomax 0.5A/1A/2A) 的组合而形成品种齐全的多个型号产品，适用于各种用途。优化了以往产品中vref可变功能，在原来应用方式下方便地实现了低功耗化和高效率化。而且，由于内置有充足的保护电路，如温度保护电路 (tsd)、过流保护电路 (ocp)、过压保护电路 (ovp)、防欠压误操作电路 (uvlo) 等，所以在各种不同条件下都可以保护驱动器IC和负载，使整机具有高可靠性。
Image: BD6211F BD6211F Rohm Semiconductor 机电产品 电机与驱动器 7V max. H-bridge drivers_bd6211f rohm的Ｈ电桥驱动器系列通过不同电源电压 (耐压7V/18v/36v) 与不同输出电流 (Iomax 0.5A/1A/2A) 的组合而形成品种齐全的多个型号产品，适用于各种用途。优化了以往产品中vref可变功能，在原来应用方式下方便地实现了低功耗化和高效率化。而且，由于内置有充足的保护电路，如温度保护电路 (tsd)、过流保护电路 (ocp)、过压保护电路 (ovp)、防欠压误操作电路 (uvlo) 等，所以在各种不同条件下都可以保护驱动器IC和负载，使整机具有高可靠性。
Image: BD6210HFP BD6210HFP Rohm Semiconductor 机电产品 电机与驱动器 7V max. H-bridge drivers_bd6210hfp rohm的Ｈ电桥驱动器系列通过不同电源电压 (耐压7V/18v/36v) 与不同输出电流 (Iomax 0.5A/1A/2A) 的组合而形成品种齐全的多个型号产品，适用于各种用途。优化了以往产品中vref可变功能，在原来应用方式下方便地实现了低功耗化和高效率化。而且，由于内置有充足的保护电路，如温度保护电路 (tsd)、过流保护电路 (ocp)、过压保护电路 (ovp)、防欠压误操作电路 (uvlo) 等，所以在各种不同条件下都可以保护驱动器IC和负载，使整机具有高可靠性。
Image: BD6210F BD6210F Rohm Semiconductor 机电产品 电机与驱动器 7V max. H-bridge drivers_bd6210f rohm的Ｈ电桥驱动器系列通过不同电源电压 (耐压7V/18v/36v) 与不同输出电流 (Iomax 0.5A/1A/2A) 的组合而形成品种齐全的多个型号产品，适用于各种用途。优化了以往产品中vref可变功能，在原来应用方式下方便地实现了低功耗化和高效率化。而且，由于内置有充足的保护电路，如温度保护电路 (tsd)、过流保护电路 (ocp)、过压保护电路 (ovp)、防欠压误操作电路 (uvlo) 等，所以在各种不同条件下都可以保护驱动器IC和负载，使整机具有高可靠性。
Image: ADuM4138 ADuM4138 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 6 A 峰值驱动输出能力（典型值） 内部关闭 nfet，导通电阻：<1 Ω 内部打开 pfet，导通电阻：<1.2 Ω 2 种过流保护方法 去饱和检测 分裂式发射器过流保护 具有栅极感应输入的米勒箝位输出 隔离式故障输出 隔离式温度传感器回读 传播延迟 上升：95 ns（典型值） 下降：100 ns（典型值） 最小脉冲宽度：74 ns 工作结温范围：−40°C 至 +150°C vdd1 和 vdd2 uvlo 最小外部跟踪（爬电距离）：8.3 mm（待定） 安全和监管审批 5000 V rms 持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 csa 元件验收通知 5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 vpeak（增强/基本） 符合汽车应用要求
Image: ADUM4135 ADUM4135 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 优势和特点 产品详情 4A峰值驱动输出能力 输出功率器件电阻：<1 Ω 去饱和保护n 隔离的去饱和故障报告 故障时软关断 带栅极检测输入的米勒箝位输出 隔离故障和就绪功能 低传播延迟：55 ns（典型值） 最小脉冲宽度：50 ns 工作温度范围：−40°C至+125°C 输出电压范围至30v 输入电压范围：2.3 V至6 V 输出和输入欠压闭锁(uvlo) 爬电距离：7.8 mm（最小值）/li> 共模瞬变抗扰度(cmti)：100 kV/µs 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年 安全和法规认证 1分钟5 kV AC，符合UL 1577 csa元件验收通知5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm= 849 V峰值（强化/基本）
Image: ADUM3123 ADUM3123 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：4.0 A 隔离式工作电压 副边至输入端： 537 V 高工作频率： 1 mhz（最大值） 3.3 V至5 V输入逻辑 4.5V至18 V输出驱动 uvlo：2.5 V vdd1 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：64 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度： >25 kV/µs 工作结温高达： 125°C 默认低电平输出 8引脚窄体soic封装
Image: LTC4269-2 LTC4269-2 Analog Devices Inc 半导体 接口 符合 25.5W ieee 802.3at (type 2) 标准的 PD poe+ 两事件分级 ieee 802.3at 高功率可用指示器 内置先进的同步正激式控制器 — 隔离型电源效率 >94% 灵活的辅助电源接口 绝佳的 emi 性能 坚固型 100v 0.7Ω (典型值) 集成热插拔 (hot swap™) mosfet 具集成特征电阻器、可编程分级电流、uvlo、ovlo 和热保护功能 具自动再起动功能的短路保护 可编程开关频率：100khz 至 500khz 耐热性能增强型 7mm x 4mm dfn 封装
Image: LTC4267-3 LTC4267-3 Analog Devices Inc 半导体 接口 用于 ieee 802®.3af 受电设备 (PD) 的完整电源接口端口 内置 100v、uvlo 开关 300khz 恒定频率运作 精准的双级浪涌电流限值 集成型电流模式开关稳压器 具停用功能的内置 25k 特征电阻器 可编程分级电流 (class 0 至 4) 热过载保护 电源良好信号 集成型误差放大器和电压基准 扁平 16 引脚 ssop 封装或 dfn 封装
Image: LTC4267-1 LTC4267-1 Analog Devices Inc 半导体 接口 用于 ieee 802®.3af 受电设备 (PD) 的完整电源接口端口 内置 100v、uvlo 开关 300khz 恒定频率运作 精准的双级浪涌电流限值 集成型电流模式开关稳压器 具停用功能的内置 25k 特征电阻器 可编程分级电流 (class 0 至 4) 热过载保护 电源良好信号 集成型误差放大器和电压基准 扁平 16 引脚 ssop 封装或 dfn 封装
Image: LTC4267 LTC4267 Analog Devices Inc 半导体 接口 用于 ieee 802®.3af 受电设备 (PD) 的完整电源接口端口 内置 100v、400ma uvlo 开关 精准的双级浪涌电流限值 集成型电流模式开关稳压器 具停用功能的内置 25kΩ 特征电阻器 可编程分级电流 (class 0 至 4) 热过载保护 电源良好信号 集成型误差放大器和电压基准 扁平 16 引脚 ssop 封装和 3mm x 5mm dfn封装
Image: DRV8301 DRV8301 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 6-V至60-V工作电源电压范围 1.7-A源极和2.3-A陷波栅驱动电流 能力 降低电磁干扰的转换速率控制 100%占空比的自举门驱动器 支持 6或3-pwm输入模式 双集成电流分流放大器 可调增益和偏移 集成buck-A转换器 3.3-V和5-V接口支持 spi公司 保护功能： 可编程死区控制（dtc） 可编程过电流保护（ocp） pvdd和gvdd欠压闭锁 （uvlo） gvdd过压闭锁（ovlo）
Image: DRV8302 DRV8302 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 6-V至60-V工作电源电压范围 1.7-A源极和2.3-A陷波栅驱动电流 能力 降低电磁干扰的转换速率控制 100%占空比的自举门驱动器 支持 6或3-pwm输入模式 双集成电流分流放大器 可调增益和偏移 集成buck-A转换器 3.3-V和5-V接口支持 spi公司 保护功能： 可编程死区控制（dtc） 可编程过电流保护（ocp） pvdd和gvdd欠压闭锁 （uvlo） gvdd过压闭锁（ovlo）
Image: DRV8350RF DRV8350RF Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 9至100-V，三半桥门驱动器 可选集成降压调节器 可选三低侧电流分流放大器 功能安全质量管理 有助于iec 61800-5-2功能安全系统设计的文件 智能门驱动架构 电磁干扰性能的可调转换率控制 vgs握手和最小死区时间插入，以防止射穿 50 mA至1-A峰值电源电流 100毫安至2安峰值漏电流 通过强力下拉降低dV/dt 集成门驱动器电源 用于100%pwm占空比控制的高压侧倍增器电荷泵 低压侧线性调节器 集成lm5008a降压调节器 6至95-V工作电压范围 2.5至75-V，350 mA输出能力 集成三重电流并联放大器 可调增益（5、10、20、40 V/V） 双向或单向支撑 6x、3x、1x和独立pwm模式 支持120°传感器操作 提供spi或硬件接口 低功耗休眠模式（vvm=48-V时为20µA） 集成保护功能 VM欠压锁定（uvlo） 门驱动电源欠压（gduv） mosfet vds过流保护（ocp）
Image: LMG1210 LMG1210 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 工作频率高达 50mhz 10ns 典型传播延迟 3.4ns 高侧至低侧匹配 4ns 最小脉宽 两个控制输入选项 具有可调死区时间的单个 pwm 输入 独立输入模式 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 外部自举二极管可实现灵活性 内部 ldo 可实现对电压轨的适应能力 高 300v/ns cmti HO 到 LO 的电容小于 1pf uvlo 和过热保护 低电感 wqfn 封装
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27712-Q1 UCC27712-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合面向汽车应用的 aec-q100标准 器件 hbm 分类等级 1C 器件 cdm 分类等级 c4b 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27712 UCC27712 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27212A-Q1 UCC27212A-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合汽车应用 要求 具有符合 aeca-q100 标准的下列特性： 器件温度等级 –40°C 至 +140°C 器件 hbm 分类等级 2 器件 cdm 分类等级 C6 5V 关断欠压锁定 (uvlo) 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 mosfet 最大引导电压 120v 直流 4A 拉电流，4A灌电流能力 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 5V 至 17v vdd 工作范围，（最大绝对值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 典型延迟匹配 采用 soic8(powerpad) 封装

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