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Image: SE97BTP SE97BTP NXP Semiconductors 传感器，变送器 温度传感器 2.1一般特征 jedec（JC-42.4）dimm温度传感器以及用于串行状态检测（spd）的256字节串行eeprom 用于分布式多点应用的sda开漏输出设计 关断电流：0.1 µA（典型值）和5.0 µA（最大值） 上电复位：1.8 V（典型值） 2线接口：兼容i2c总线/ smbus，0 Hz至400 khz smbus警报响应地址和超时时间为25 ms至35 ms（可编程） esd保护超过每个Jesd22-a114 2500 V hbm，每个Jesd22-a115 250 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 采用hwson8封装
Image: PCT2202UK PCT2202UK NXP Semiconductors 传感器，变送器 温度传感器 微小的wlcsp6封装 精度：0°C至+85°C时为0.5°C 低静态电流： 30μA有效 1 A关断 电源范围：1.8 V±0.15 V 分辨率：12位 两线制I 2 C总线串行接口，包括HS模式3.4 mhz 与tmp102相同的固件 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: UCC27712-Q1 UCC27712-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合面向汽车应用的 aec-q100标准 器件 hbm 分类等级 1C 器件 cdm 分类等级 c4b 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27212A-Q1 UCC27212A-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合汽车应用 要求 具有符合 aeca-q100 标准的下列特性： 器件温度等级 –40°C 至 +140°C 器件 hbm 分类等级 2 器件 cdm 分类等级 C6 5V 关断欠压锁定 (uvlo) 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 mosfet 最大引导电压 120v 直流 4A 拉电流，4A灌电流能力 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 5V 至 17v vdd 工作范围，（最大绝对值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 典型延迟匹配 采用 soic8(powerpad) 封装
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 适用于汽车电子 应用 具有符合 aec-q100 标准的下列结果： 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围 器件人体放电模式 (hbm) 分类等级 2 器件组件充电模式 (cdm) 分类等级 C6 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 最大引导电压 120v 直流 4A 吸收，4A 源输出电流 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 8V 至 17v vdd 运行范围（绝对最大值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载时） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 延迟匹配 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 采用行业标准 SO-powerpad soic-8 封装 －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: PCA9846 PCA9846 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 四分之一双向转换开关 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop16和hvqfn16
Image: PCA9848 PCA9848 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 八选一双向转换开关 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop24和hvqfn24
Image: PCA9847 PCA9847 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 8选1双向翻译多路复用器 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有多路复用器通道的加电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop24和hvqfn24
Image: PCA9548A PCA9548A NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8合1双向转换开关 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 三个地址引脚，最多可在I²C总线上支持八个设备 通过I²C总线进行通道选择，任意组合 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 6 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供三种封装：so24，tssop24和hvqfn24
Image: PCA9548A PCA9548A NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8合1双向转换开关 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 三个地址引脚，最多可在I²C总线上支持八个设备 通过I²C总线进行通道选择，任意组合 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 6 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供三种封装：so24，tssop24和hvqfn24
Image: PCA9547 PCA9547 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8选1双向翻译多路复用器 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平复位输入有效 3个地址引脚，最多可在I²C总线上使用8个设备 通过I²C总线进行频道选择，一次仅一个频道 上电且取消选中所有通道，但已连接的通道0除外 低R上多路复用 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 5 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so24，tssop24，hvqfn24
Image: CBTU4411EE CBTU4411EE NXP Semiconductors 半导体 逻辑 使能（EN）和选择信号（S0，S1）兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2（ddr2）sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s，200 mhz至400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1：4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off（高阻）位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101的750 V cdm
Image: CBTV24DD12ET CBTV24DD12ET NXP Semiconductors 嵌入式解决方案 评估板 -  模数转换器 (ADC) 拓扑结构 12位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单的cmos选择引脚（sel0，sel1） 简单的cmos使能引脚（EN） 性能 3200 MT / s吞吐率 7.4 ghz带宽（用于单端和差分信号） 低导通损耗 低回波损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为8Ω） 低ΔR ON（<1Ω） 一般属性 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为600 µA） 这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护 esd耐用性超过2.5 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，3.0 mm×8.0 mm×1.0 mm尺寸，0.65 mm间距，无铅/深绿色
Image: CBTW28DD14 CBTW28DD14 NXP Semiconductors 嵌入式解决方案 评估板 -  模数转换器 (ADC) 拓扑结构 14位总线宽度 1：2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单cmos选择引脚（sel） 简单cmos使能引脚（EN） 性能 2.5 ghz带宽 低导通损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12，sstl_12，sstl_135，sstl_15或sstl_18信令 低R ON（典型值为10） 一般属性 1.5 V或1.8 V电源电压工作 极低的电源电流（典型值为300μA） esd耐用性超过3 kV hbm，1 kV cdm 采用tfbga48封装，4.5 mm×4.5 mm×0.8 mm尺寸，0.5 mm间距，无铅/深绿色
Image: NCX2202 NCX2202 NXP Semiconductors 半导体 逻辑 1.3 V至5.5 V的宽电源电压范围（功能工作范围） 轨到轨输入/输出性能 6 µA（典型值）的极低电源电流 低功耗 输入信号过驱动时无相位反转 内部磁滞 传播延迟为0.8 µs（典型值） 静电防护： hbm jesd22-a114f 1C类超过1500 V cdm jesd22-c101e超过1000 V 多种包装选择 额定温度范围为-40ºC至+85ºC
Image: NCX2220 NCX2220 NXP Semiconductors 半导体 逻辑 1.3 V至5.5 V的宽电源电压范围（功能工作范围） 轨到轨输入/输出性能 每个比较器的电源电流非常低，仅为5μA（典型值） 低功耗 输入信号过驱动时无相位反转 内部磁滞 传播延迟为0.8μs（典型值） 静电防护： hbm jesd22-a114f 3A类 超过2000 V cdm jesd22-c101e超过1000 V 多种包装选择 规定温度为-40℃至+85℃
Image: PCA9564 PCA9564 NXP Semiconductors 半导体 接口 特征 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 主从功能 多主机功能 内部振荡器减少了外部元件 工作电源电压2.3 V至3.6 V 5 V耐压I / O 具有标准和快速模式I²C并与smbus兼容 esd保护超过Jesd22-a114的2000 V hem，Jesd22-a115的200 V MM和Jesd22-c101的1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行。 提供的封装：dip20，so20，tssop20，hvqfn20
Image: PCA9663B PCA9663B NXP Semiconductors 半导体 接口 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 1 mbit / s和高达30 mA的scl / sda I OL快速模式增强（Fm +）功能 内部振荡器调整为1％的精度，减少了外部元件 Fm +通道的单独4352字节缓冲区，总共13056字节的缓冲区空间 复位的三个级别：单个软件复位，全局软件复位，全局硬件reset引脚 以一个串行序列在每个通道上最多与64个从站通信 使用间隔计时器进行序列循环 支持scl时钟延长 jtag端口可用于电路板制造过程中的边界扫描测试 触发输入使串行通信与外部事件完全同步 可屏蔽的中断 快速模式plusi²C总线，并与smbus兼容 工作电源电压：3.0 V至3.6 V（设备和主机接口） I²C总线I / O电源电压：3.0 V至5.5 V 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 esd保护超过每个Jesd22-a114的8000 V hbm和每个Jesd22-c101的1000 V cdm 提供的封装：lqfp48

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