关键词hbm
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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PCA9516 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 5通道双向缓冲器 兼容I²C总线和smbus 高电平有效个人中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为2.3 V至3.6 V 5.5 V耐压I²C总线和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率1 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so16和tssop16 1.由于转发器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 | |
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PCA9519 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 4通道（4个scl / sda对）双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1 V至V CC（B） -1.5 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为1.0 V至V CC（B） -端口A为1.5 V，端口B为3.0 V至5.5 V 5 V耐压B侧scl和sda和使能引脚 B侧输入上的50 ns毛刺滤波器 0 Hz至400 khz时钟频率 注意：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop20，hvqfn24 | |
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PCA9600 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | I²C总线信号的双向数据传输 隔离电容，允许SX / SY侧为400 pF，TX / TY侧为4000 pF TX / TY输出具有60 mA灌电流能力，用于驱动低阻抗或高电容总线 在长达20米的电线上以1 mhz的频率工作（请参见an10658） 电源电压范围为2.5 V至15 V，SX / SY侧具有I²C总线逻辑电平，与电源电压无关 将I²C总线信号分成成对的正向/反向TX / RX，TY / RY信号对，以便与光电隔离器和需要单向输入和输出信号路径的类似设备进行接口连接 低电源电流 esd保护超过每个Jesd22-a114 3500 V hbm和每个Jesd22-c101 1400 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8和tssop8（msop8） | |
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PCA9646 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 特征 与pca9546a等兼容的插入式引脚 每个I / O均与其他所有阻抗隔离，从而允许所有分支上的最大电容 所有端口均具有30 mA静态吸收能力 适用于I²C总线（标准模式，快速模式和fast-mode plus（Fm +）），smbus（标准和高功率模式）和pmbus 快速的切换时间允许运行超过1 mhz 允许驱动大负载（例如5×4 nF） I / O上的磁滞增加了抗噪能力 2.7 V至5.5 V的工作电压 简单的特性适合在大多数常见的2线总线应用中快速实施 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 | |
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PCA9559PW | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 5位2对1多路复用器，1位锁存dip开关 6位内部非易失性寄存器 内部非易失性寄存器可编程，可通过I²C总线读取 覆盖输入将所有输出强制为逻辑0 5个开漏多路复用输出 1个开漏非多路复用（闩锁）输出 5 V和2.5 V耐压输入 有用吗？PC主板配置 2个地址引脚，在I²C总线上最多允许4个设备 esd保护超过Jesd22-a114的2000 V hbm，Jesd22-a115的200 V MM和Jesd22-c101的1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的JesdEC标准Jesd78进行 | |
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PCA9560 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 5位3对1多路复用器，1位锁存dip开关 5位外部硬件引脚 两个6位内部非易失性寄存器，与pca9559完全引脚对引脚兼容 在两个非易失性寄存器之间选择 非易失性寄存器和外部硬件引脚之间的选择 I²C/ smbus接口逻辑 输入引脚和控制信号上的内部上拉电阻 输入上的有效高写保护控制了写入非易失性寄存器的能力 2个地址引脚，在I²C总线上最多允许4个设备 5个开漏多路复用输出 开漏非多路输出 内部6位非易失性寄存器可通过I²C总线进行编程和读取 可通过I²C总线读取外部硬件5位值 I²C总线可以覆盖多路复用器的选择 工作电源电压3.0 V至3.6 V 5 V和2.5 V耐压输入/输出 0至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试是针对超过100 mA的JesdEC标准Jesd78进行的。 封装产品：so20，tssop20 | |
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PCA9561 | NXP Semiconductors | 半导体 接口 | 通过I²C总线选择非易失性register_n作为mux_out引脚的源 I²C总线在选择输出源时可以覆盖mux_select引脚 6位5对1多路复用器dip开关 四个内部非易失性寄存器 内部非易失性寄存器可通过I²C总线进行编程和读取 六个开漏多路复用输出 400 khz最大时钟频率 工作电源电压3.0 V至3.6 V 5 V和2.5 V耐压输入/输出 对于笔记本电脑的speed step配置很有用 两个地址引脚，允许在I²C总线上最多容纳四个设备 可通过I²C总线读取mux_in值 esd保护超过每个Jesd22-a114 200 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的JesdEC标准Jesd78进行 | |
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AMC1305M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能： | |
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AMC1304L05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 | |
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AMC1304M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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AMC1304M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 | |
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AMC1304L25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） | |
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AMC1305L25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±150µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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AMC1211-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 符合汽车类应用的 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 2V 高阻抗输入电压范围，针对隔离式电压测量进行优化 低失调误差和温漂： ±1.5mv（最大值），±15µV/°C（最大值） 固定增益：1 极低增益误差和温漂： ±0.3%（最大值），±45ppm/°C（最大值） 低非线性和温漂：0.01%，1ppm/°C（典型值） 高侧 3.3V 运行电压 高侧电源缺失指示 安全相关认证： 符合 din V vde V 0884-11 (vde V 0884-11): 2017-01 标准的 4250vpk 基础型隔离 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 4250vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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AMC1311-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 符合汽车类应用的 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 2V 高阻抗输入电压范围，针对隔离式电压测量进行优化 低失调误差和温漂： amc1311B-Q1：±1.5mv（最大值），±15µV/°C（最大值） amc1311-Q1：±9.9mv（最大值），±20µV/°C（典型值） 固定增益：1 极低增益误差和温漂： amc1311B-Q1：±0.3%（最大值），±45ppm/°C（最大值） amc1311-Q1：±1%（最大值），±30ppm/°C（典型值） 低非线性和温漂：0.01%，1ppm/°C（典型值） 高侧 3.3V 运行电压 (amc1311B-Q1) 高侧电源缺失指示 安全相关认证： 符合 din V vde V 0884-11 (vde V 0884-11): 2017-01 标准的 7000 vpk 增强型隔离 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 5000vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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BGA924N6板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚） •无铅（符合rohs要求）封装 | |
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BFP843板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的大容量sige：C双极技术的低噪声宽带npn RF晶体管 •高最大RF输入功率和esd鲁棒性20 dbm最大RF输入功率，1.5 KV hbm esd硬度 •高射频性能的独特组合，鲁棒性和易于应用的电路设计 •低噪声系数：nfmin = 2.4 ghz时为1.0 dB，5.5 ghz，1.8 V，8 mA时为1.2 dB •高增益：| s21 | 2 = 2.4 ghz时为21 dB，5.5时为15.5 dB ghz，1.8 V，15 mA •oip3 = 2.4 ghz时为23 dbm，5.5 ghz，1.8 V，20 mA时 为20 dbm •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（符合rohs要求）和无卤素工业标准封装，并带有可见引线 •根据aec-q101提供的鉴定报告 | |
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BFP840ESD板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 功能概要 •基于英飞凌可靠的高容量sige：C技术的强大超低噪声放大器 •高端射频性能和耐用性的独特结合：最大20 dbm射频输入功率，1.5 kV hbm esd硬度 •很高的过渡频率fT = 80 ghz可以在高频下实现极低的噪声系数： 5.5 ghz，1.8 V，6 mA时nfmin = 0.85 dB •5.5 ghz，1.8 V，10 mA时，高增益| s21 | 2 = 18.5 dB •5.5 ghz时oip3 = 23 dbm， 1.5 V，6 mA •非常适合低压应用，例如vcc = 1.2 V和1.8 V（2.85 V，3.3 V，3.6 V需要相应的集电极电阻） •低功耗，非常适合移动应用 •易于使用的无铅（rohs符合标准）和无卤素行业标准封装，并带有可见引线 •提供符合aec-q101的鉴定报告 | |
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BGA924N6板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚） | |
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106105-2100 | Molex | |
连接器 光纤连接器 | fiber optic connectors hbmt dboARD assy(dbo oard float) unplated |
